制程节点及产品结构优化，国产替代空间广阔

长鑫科技(688825)
    事件描述
    公司发布2026年三季报，2026年前三季度实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；实现归母净利润1320.40亿元，同比扭亏；实现扣非归母净利润1340亿元，同比增长127x。其中26Q3单季度实现营业收入约1187.14亿元，同比增长613.18%，归母净利润544.35亿元，同比扭亏，环比增长3.01%。考虑到公司长鑫新桥、长鑫集电的少数股东损益，公司三季度环比增长符合市场乐观预期。
    事件点评
    长鑫科技是国内第一、全球第四的DRAM研发设计制造一体化企业，产品覆盖DDR4、LPDDR4X至DDR5、DDR5X及LPDDR6全系列，广泛应
    用于服务器、移动设备、PC、智能汽车等领域，客户涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等头部厂商。AI服务器用HBM2e、HBM3及3DDRAM产品研发持续推进，4F2-CBA技术处于行业领先水平。
    DRAM维持超级景气，公司份额持续提升。2025年下半年以来，AI算力需求快速增长，全球存储行业景气度显著提升，HBM产品供不应求、普通DRAM产能挤占，价格实现大幅增长，同时，AI推理及智能体应用带动高容LPDDR、RDIMM需求抬升，公司作为全球少数颗粒原厂充分受益于价格景气周期，市场份额不断抬升，根据Trendforce统计，截至2026年中，长鑫科技市占率达9.5%，环比提升1.9pct。
    G5平台全面量产，4F架构全球领先。1）2026年9月，公司宣布第五代DRAM技术平台实现量产，公司利用四重曝光技术实现内存阵列有源区半间距至11.95nm，并通过变革工艺及采用新材料，存储密度跨越式提升，单片晶圆产出裸片数量较G4平台提升50%以上。2）公司在4F垂直沟道架构上具备先发优势，预计于年底推出基于该项技术的DDR5RDIMM产品。
    4F技术是通过重构晶体管结构，将沟槽由水平变为垂直，理论条件下，相比6F架构，存储单元面积有望减少30%，每片晶圆裸die数量有望提升。
    大额回购彰显长期发展信心。2026年10月，公司发布回购股份公告，拟以不超过人民币72.69元/股的价格回购10-20亿元对用股份。2026年11月，公司董事长进一步提议将回购金额增加值25亿元至50亿元，存储代工为重资产行业的背景下，回购金额大幅提升，彰显公司长期发展信心。
    投资建议
    受AI需求扩张及对成熟制程产品产能挤占，存储晶圆厂需求旺盛，公司作为国内第一、全球第四的DRAM颗粒原厂受益于存储超级周期，同时自研的G5平台及4F技术打破EUV对先进制程的垄断，有望随AI服务器放量发展充分受益。预计公司2026-2028年EPS分别为3.04\4.82\5.79，对应公司11月06日收盘价的2026-2028年PE分别为14.5\9.2\7.6，首次覆盖给予“增持-A”评级。
    风险提示
    1）DRAM价格波动风险。存储为强周期行业，公司盈利对DRAM价格高度敏感。需求端AI资本开支降低或供给端行业新增产能集中释放将导致供需格局逆转，进而。2）产能扩张与资本开支风险。全球DRAM持续紧缺，公司加大资本开支提升产能。若技术迭代、设备进场、良率爬升或产能利用率不及预期，可能影响当期利润水平。3）新技术迭代风险。公司持续推进研发HBM、3DDRAM及4F2-CBA工艺，但在先进制程、混合键合等