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半导体系列：射频通信将大显身手 功率器件或后来居上

类别：行业 机构：平安证券股份有限公司 研究员：朱琨 日期：2021-05-28

报告摘要

1、GaN或将领跑第三代半导体市场：氮化镓(GaN)可同时涵盖射频和功率领域，特别是在高功率和高频率领域应用效果特别出色；可广泛应用于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传统产业领域；由于商业化进展快，将领跑第三代半导体市场。

2、GaN将逐步替代LDMOS：GaN弥补了GaAs和Si基LDMOS两种老式技术之间的缺陷，在体现GaAs 高频性能的同时，结合了Si基LDMOS的功率处理能力；随着GaN材料工艺的成熟和成本的下降，将逐步替代LDMOS，预计到2025年在射频市场的渗透率将达到50%左右。

3、GaN将在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。因此，GaN功率器件在低压领域(0-900V)首先商用，替代传统的硅基功率器件；IMEC实验室在4月29日宣布了工作电压可达1200V的硅基GaN外延片；若是商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。

风险提示

1、国内运营商资运营商5G建设再放缓的风险

运营商5G建设若再放缓，将使基站出货量不及预期，从而将使得SiC基GaN射频器件需求不及预期。

2、中美贸易摩擦的风险

国内射频器件厂商的SiC衬底主要来自美国公司，若是出现断供的情况，将使得产品出货量不及预期。

3、消费电子产品出货量不及预期的风险

Si基GaN产品目前主要用于消费电子产品的充电器，若是全球疫情再次出现反弹，将使得消费电子产品出货量再次下调， Si基GaN产品需求将不及预期。