金属新材料年度策略：AI大时代下，核心材料有望受益

（以下内容从国金证券《金属新材料年度策略：AI大时代下，核心材料有望受益》研报附件原文摘录）
投资逻辑
当前新一轮以AI为代表的科技革命正席卷全球，AIGC技术的快速发展源于深度学习和神经网络算法的突破，这些应用需要高性能的计算和存储能力，推动了电子半导体与光通信行业的创新和增长，产业链中核心材料迎来发展机遇。
1、电子元器件产业链：AIGC技术需要更先进、更快速的芯片来满足其需求，带动半导体材料、芯片制造、封装测试、被动元器件等各个环节的技术创新和产业升级。建议重点关注：
1）芯片电感：高算力高功率的AI场景下的最佳选择。芯片电感更适用于如AI服务器相关的高功耗、高散热要求的场景，相较于铁氧体，金属软磁粉芯在耐受电流方面性能更好。铂科新材相较于传统绕线类工艺、一体成型工艺，采用独创的高压成型结合铜铁共烧工艺，较传统的铁氧体材质电感具有更高效率、更小体积、以及能够响应更大电流变化的优势，更适用于电源模块小型化、应用电流增加的发展趋势。产品可应用于所有高算力场景，包括英伟达、Intel、AMD、HUAWEI等芯片厂商的解决方案中，目前已批量用于英伟达AI芯片GPU-H100。产能布局方面，公司计划到23年底可实现产能约500万片/月，24年将根据市场需求情况继续扩充到1000-1500万片/月。建议重点关注铂科新材。
2）晶圆制造环节，建议关注溅射靶材供应商有研新材；在封装测试环节，建议关注锡焊料与引线框架材料相关企业；被动元件环节，建议关注一体电感上游羰基铁粉供应商悦安新材。
2、光通信产业链：AIGC在数据传输和处理方面的需求，推动光通信产业链中的光源、光模块、光纤传输设备等环节的技术创新和升级，建议重点关注：
1）磷化铟、砷化镓：主流光芯片衬底方案。光芯片常使用三五族化合物磷化铟和砷化镓作为芯片的衬底材料。磷化铟衬底用于制作FP、DFB、EML边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓衬底用于制作VCSEL面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域。供应格局集中，云南锗业砷化镓晶片产能为80万片/年，磷化铟晶片产能为15万片/年，建议重点关注云南锗业。
2）铌酸锂晶片：高速率解决方案。新一代薄膜铌酸锂调制器具有高性能、低成本、小尺寸、可批量化生产且与CMOS工艺兼容等优点，是未来高速光互连极具竞争力的解决方案。天通股份生产的铌酸锂晶圆是铌酸锂调制器芯片的上游关键原材料，同时可作为光电材料在光通讯中起到光调制作用。钨铜合金基座：高速率场景下渗透率提升。400G以上光模块芯片对散热要求大幅提高，不同成份的钨铜合金可以满足400G、800G、1.6T光模块需求，建议关注斯瑞新材。
消费电子迭代升级正迫使市场对新型金属材料的需求迅速增长，建议关注手机中框钛合金材料、折叠屏铰链材料、3D打印粉末材料等。
1）钛合金比强度高、密度小、耐腐蚀及生物兼容性高，目前已有部分机型及穿戴设备在边框、背板、铰链等使用钛合金，如IPhone15pro系列、AppleWatchUltra、小米15pro钛系列、三星Watch5pro、荣耀MagicV2折叠屏等。
2）折叠屏手机铰链变化，采用了一体化设计、创新材料工艺、添加防尘设计，现有铰链制造已采用MIM、3D打印等工艺，也已采用液态金属（非晶合金）、钛合金、高强钢和碳纤维等材料。
3）金属3D打印粉末按基体的主要元素可分为铁基材料、镍基合金、钛与钛合金、钴铬合金、铝合金、铜合金等，制备方法包括雾化法和等离子法等。
风险提示
新兴行业的产业化风险；技术迭代风险；行业竞争加剧的风险；原材料价格波动风险等。