电子行业行业点评报告：H200获准出口，博通AI业务大幅增长

（以下内容从中国银河《电子行业行业点评报告：H200获准出口，博通AI业务大幅增长》研报附件原文摘录）
核心观点
博弈趋势缓和，H200芯片获准出口。2025年12月8日，特朗普通过社交媒体宣布允许英伟达向中国“经批准客户”出口H200芯片，要求销售收入的25%上缴美国政府。美国商务部正细化执行规则，AMD、英特尔等企业也将适用类似政策。H200采用台积电4nm工艺，搭载141GB HBM3e显存，带宽达4.8TB/s，FP8算力接近4PFLOPS。相比H20，其性能提升约6倍，显存容量增加47%，带宽提升20%。这一性能水平使其能够更流畅地处理千亿级参数大模型的训练与推理任务。我们认为，H200的引入将有效缓解国内AI企业的算力需求，在此之前，国内大模型训练长期卡壳，H200的性能优势可缩短模型训练周期，降低研发成本，云服务商可借此升级GPU集群，提升AI服务竞争力。
博通25Q4业绩超预期，AI芯片业务成增长最快引擎。2025年12月11日，博通公布25Q4财报，第四财季营收为180.2亿美元，同比增长约28%净利润97.1亿美元，同比增长39%。半导体解决方案业务的销售额110亿美元，同比增22%，其中AI芯片实现收入82亿美元，同比增长74%。博通表示，未来18个月内，博通在AI定制芯片、交换机及其它数据中心硬件产品上的订单积压已达730亿美元。我们认为，当前AI基础设施建设窗口黄金期，博通凭借定制AI芯片和网络基础设施领域的领导地位，公司展现出强劲的增长动能，后续随着谷歌TPU项目的持续放量、Meta MTIA推理芯片项目在2026年上半年放量、下一代Tomahawk6网络芯片量产，以及新客户（如OpenAI、Anthropic）的订单交付。网络交换芯片和AI定制芯片有望持续打开公司天花板。
三星正式宣布完成第六代高带宽内存HBM4开发，打破海力士垄断。三星近期发布第六代高带宽内存HBM4的开发，采用12层堆叠设计，单颗容量达36GB，带宽突破3.3TB/s，传输速率超过11Gbps，远超JEDEC制定的8Gbps行业标准。相比前代HBM3E，性能提升约60%，功耗降低40%，误码率大幅下降。产品采用4nm逻辑基片+1c级DRAM的混合架构，逻辑芯片良率已达90%，为大规模量产奠定基础。我们认为，随着三星发布HBM4产品，若后续通过NV供应链验证，有望打破SK海力士在高端HBM市场的垄断格局，后续市场占有率有望触底反弹。
投资建议：尽管H200获准批准短期对于国产算力厂商具备一定冲击，但国产替代趋势长期上行，供应链安全与自主可控是必要条件。建议关注:塞武纪、海光信息、中微公司、北方华创、长电科技。
风险提示：下游需求不及预期的风险，同业竞争格局加剧的风险，新品研发不及预期的风险，供应链转移导致不确定性增加的风险。