半导体：SK海力士23Q2业绩点评：需求渐入回暖周期，AI助推高端领域增长_股票频道

（以下内容从信达证券《半导体：SK海力士23Q2业绩点评：需求渐入回暖周期，AI助推高端领域增长》研报附件原文摘录）
营收FY23Q2，公司实现营收7.31万亿韩元，同比-47%，环比+44%，环比上升主要系ChatGPT为核心的生成式人工智能（AI）市场扩张下，AI服务器内存需求迅速增长，HBM3和DDR5等高端产品的销量增加；营业利润-2.88万亿韩元，主要系比特出货量增加导致销售成本增加，但持续降本也带来SG&A减少，同时DRAM定价提高降低了存货估价损失；毛利率-16%，同比-62pcts，环比+16pcts；净利润亏损2.99万亿韩元，净利率-41%，同比-62pcts，环比+10pcts。
DRAM与NAND：（1）DRAM：23Q2营收占比62%，同比-2pcts，环比+4pcts，出货量环比上升35%左右，ASP环比上升5~10%。因PC和智能手机需求低迷，DDR4等普通DRAM产品价格持续下滑，但用于人工智能服务器的高端产品销售增长，本季度DRAMblendedASP有所上涨；（2）NAND：23Q2营收占比30%，同比-2pcts，环比-3pcts，出货量环比上升约50%，ASP环比下降约10%。
资本开支将更加注重管理效率：23年CapEx计划同比减少50%以上，目前执行情况良好。为了在有限的资本支出预算内确保高密度DDR5/HBM的生产能力，公司将努力提高生产率，缩短设备交付时间，减少其他投资。
库存水平仍需静待恢复：存储需求从23Q2开始恢复，但不足以使22下半年以来居高不下的库存水平恢复正常，考虑到目前NAND库存水平高于DRAM以及NAND的利润率低于DRAM，公司决定进一步削减NAND产量。
终端市场需求开始复苏：（1）服务器：通信服务供应商紧缩IT开支，调整库存，23年需求较疲软，但AI市场增长带动高端产品（高密度DDR5/HBM）需求增加，中长期AISV市场CAGR约35%，SV总需求CAGR为5~10%；（2）PC：库存开始减少，出货量环比增加，同时CB/低规格NB存在替代需求，商用/游戏有望推动下半年PC领域需求上升；（3）智能手机：下半年新产品发布，伴随内存容量上升和价格下降，下半年SP需求有望改善，旗舰产品对高密度/高性能LPDDR5需求或将增加。
23年出货量指引：Q3出货量指引：（1）DRAM：23Q3出货量预计环比增加10~15%，主要系为支持高密度和HBM的需求，扩大DDR5和高性能、高密度LPDDR5销量；（2）NAND：扩大176层SSD销量，23Q3出货量预计与23Q2持平。全年出货量指引：23年DRAM按位元出货量将同比增加5~10%，NAND按位元出货量将同比增加15%左右。
产品业内领先：（1）1bnm：市场上应用于服务器端最快的1bnmDDR5正在验证，采用了HKMG工艺，功耗比1anm降低20%+，公司预计24上半年将1bnm技术应用扩展至LPDDR5T和HBM3E；（2）1anm：1anmDDR5产品组合包括业界唯一通过验证的16GB/24GB和128GB+高密度模块；（3）HBM：全球首家12层堆叠技术，可支持最大密度24GBHBM3。
其他：公司目标扩大包括HBM3、DDR5和LPDDR5等高端DRAM产品以及176层SSD产品的销售。公司今年还将提高1bnm、第五代10nm产品、DRAM和238层NAND的质量和良率，一旦看到行业好转，将扩大量产规模。公司将努力通过高端产品的技术竞争力来支撑盈利。
投资建议：23Q2需求开始恢复，库存去化持续进行，同时叠加AI服务带来对高密度/高性能存储的增量需求，存储市场周期或将加速触底反弹。我们建议关注AI算力和存储产业链：（1）算力：工业富联/沪电股份/寒武纪；（2）存储设计：兆易创新/东芯股份/北京君正/普冉股份；（3）内存接口：澜起科技/聚辰股份；（4）存储模组：江波龙/德明利/佰维存储。
风险提示：下游需求不及预期，库存恢复不及预期，产品研发不及预期。