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中微公司:高端半导体设备领军者,研发实力加速国产替代进程

来源:西南证券 作者:倪正洋 2020-05-06 00:00:00
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国产高端半导体设备领军者,高研发推动公司收入、业绩高增长。公司是国产半导体设备领军企业,主营刻蚀设备和 MOCVD 设备,公司 CCP、ICP 和深硅刻蚀设备技术比肩国际龙头,已被广泛应用于国际一线客户 65纳米到 5纳米工艺,18年下半年氮化镓基 LED MOCVD 设备全球市占率超 6成。19年公司营业收入为 19.5亿元,同比+18.8%,归母净利润 1.9亿元,同比+107.5%,毛利率为 34.9%,净利率为 9.7%。2019年公司研发投入营收占比为 21.8%,高研发铸就高技术壁垒,推动公司营收、业绩高增长。

刻蚀技术向 向 ICP 发展 ,与薄膜沉积共同推动先进工艺进步。刻蚀设备分为湿法刻蚀和干法刻蚀,后者为当前主流,且不断向低压、高密度等离子浓度的 ICP方向演进。薄膜沉积设备与刻蚀作用机理相反,受光刻机 EUV 波长限制,3DNAND 极高深宽比和逻辑芯片的先进制程工艺需要靠刻蚀和薄膜沉积的多重掩膜版技术突破,两种设备市场增速分列半导体设备前两名。

复盘三大国际刻蚀公司发展路径,公司龙头基因显著。泛林半导体、AMAT 和TEL 为全球前三大刻蚀设备生产商,其中泛林半导体全球市占率过半。公司与泛林半导体都从专精刻蚀设备入手,以自主研发实力不断突破 ICP 等刻蚀先进技术。同时公司面临 TEL曾面对的国产替代之路和 AMAT战略中的多元化之路。

在技术水平相当的情况下,我们期待公司各项规模指标迎头赶上国际巨头。

公司产品市占率不断提升 , 研发新工艺 迎接国产替代市场 。公司产品技术国际领先,在国内晶圆厂中市占率不断提升。以长江存储为例,公司 2020年 Q1在长江存储刻蚀设备中市占率 22%,较 19年提升 9.7pp。19年国内刻蚀设备市场规模达 226亿元,UV LED、Micro/Mini LED 等新需求推动用 MOCVD 增长。

随着公司在逻辑芯片大马士革和 3D NAND 极高深宽比刻蚀工艺以及 UV LED、Micro/Mini LED 用 MOCVD 的研发不断推进,公司市占率有望继续提升。

盈利预测与投资建议。基于公司产品技术达国际先进水平,研发实力强,在半导体设备国产替代背景下市占率有望持续提升,预计 2020-2022年归母净利润分别为 2.58亿元、3.94亿元、5.32亿元,首次覆盖给予“持有”评级。

风险提示:半导体行业周期波动、新产品客户验证不及预期、知识产权风险。





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