东微半导获得发明专利授权：“半导体超结功率器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体超结功率器件”，专利申请号为CN202111128640.7，授权日为2026年4月28日。

专利摘要：本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个宽度相同的p型柱，相邻的两个所述p型柱之间的间距相同；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅沟槽，所述两个栅沟槽之间的间距设有至少两种不同的间距值；所述栅沟槽的宽度相同，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极。本发明可以调节半导体超结功率器件的栅漏电容的变化曲线，并降低导通电阻。

今年以来东微半导新获得专利授权5个，较去年同期增加了400%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了9231.76万元，同比增21.93%。

通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息31条，专利信息153条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可9个。

数据来源：天眼查APP

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