(以下内容从中国银河《稀缺DRAM厂商,国产替代从0到1突破》研报附件原文摘录)
长鑫科技(688825)
核心观点
中国大陆DRAM全产业链IDM厂商。长鑫科技作为中国大陆具备DRAM规模化量产能力的IDM企业,完成产业奠基、工艺攻坚到产能放量的完整发展历程。公司在合肥、北京布局三座12英寸晶圆制造基地,2025年实现经营扭亏,正式走出行业周期底部。受益于产能利用率、良率持续提升,公司营收规模快速扩张,费用端规模效应逐步显现,研发持续加码先进工艺与高端产品,是中国大陆存储芯片自主可控的核心产业载体。
AI驱动存储超级周期,国产替代空间广阔。传统消费电子库存周期逐步弱化,AI算力拉动服务器DRAM需求爆发,全球存储行业开启新一轮成长属性更强的超级周期。海外原厂将先进产能向HBM倾斜,通用DRAM供给被动收缩,行业供需紧平衡格局有望延续。我国是全球主要DRAM消费市场,但本土自给率偏低,在下游服务器、手机、汽车电子产业链带动与供应链自主可控诉求下,国产DRAM拥有广阔的替代空间。
技术产品共同升级,规模优势加速兑现。公司坚持跳代式自主研发,第四代工艺平台实现稳定量产,第五代工艺持续迭代。产品端DDR、LPDDR矩阵不断完善,DDR5高端服务器产品快速导入,打开第二成长曲线。伴随产线爬坡,高产能利用率持续摊薄折旧等固定成本,IDM全链条协同的规模优势持续释放。后续随着募投产能落地、客户生态持续完善,公司市场份额与盈利水平具备进一步提升的空间。
投资建议:我们认为,公司作为具备DRAM规模化量产能力的IDM企业,凭借DRAM存储芯片领域全产业链布局与持续扩产计划,随着AI服务器存储需求爆发以及存储国产替代进程提速,公司有望在服务器DRAM、LPDDR产品产能规模与工艺迭代上进一步强化竞争力。基于其龙头地位及成长潜力,我们预计公司2026-2028年归母净利润分别为2515.4/4256.6/5616.8亿元,对应PE为15.35/9.07/6.87倍。首次覆盖,给予“推荐”评级。
风险提示:行业周期波动的风险,技术迭代与研发不及预期的风险,国际贸易与供应链的风险。