电子行业点评报告：周期上行叠加工艺突破，存储芯片设备国产替代加速

（以下内容从开源证券《电子行业点评报告：周期上行叠加工艺突破，存储芯片设备国产替代加速》研报附件原文摘录）
国产设备取得突破+两存上市缓解资金压力，存储扩产有望步入高增
2025年两存扩产进度缓慢，我们认为主因设备限制与资金压力。一方面，长存于今年年初被纳入实体清单，导致进口设备采购困难，一定程度上限制了产能的扩张。另一方面，目前长鑫、长存已分别完成股改与上市辅导，IPO财务压力下，预计将阶段性控制Capex规模，主动控制投资节奏。我们认为，出口限制导致的验证受限与IPO前财务压力共同制约了设备需求的释放。不过往后看，国内设备公司已经逐步在关键工艺设备上取得积极进展，同时长鑫长存资金压力也有望在IPO后得到明显缓解，国产存储扩产有望迎来高速增长。
AI需求带动的存储短缺或将至少持续至2027年，扩产的必要性在提升
在AI超级周期的拉动之下，存储芯片正面临短缺。从需求层面看，AI服务器对存储的需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍，2025年AI对存储的需求占比来到40%，未来或将进一步提升。此外HDD的产能紧张也导致SSD为代表的半导体存储渗透加速；供给层面而言，三星、海力士等原厂均表示未来将把大部分资本开支投向持续紧缺的HBM及高利润率的产品。结果而言，据半导体产业观察，传统DRAM可能在2027年后才开始回稳，NAND与高容量存储需求可能会持续至2028年甚至更久，因此我们认为国内存储厂商扩产有望在缺货的情况之下带动份额扩张，扩产的必要性在提升。
国产设备在关键工艺逐渐实现突破，存储设备国产化率有望快速提升
从工艺层面而言，存储扩产将会显著带动刻蚀与薄膜设备需求，如3D NAND涉及的关键工艺包含ONON交替沉积、高深宽比通孔刻蚀、孔壁ONO沉积、台阶刻蚀、狭缝刻蚀等；而DRAM涉及的关键工艺包括多重曝光、电容高深宽比刻蚀和沉积、HKMG沉积等。具体而言，ONON沉积涉及反复的刻蚀和沉积循环；高深宽比刻蚀为保证垂直度和侧壁保护、高选择比、刻蚀速率等，需要更复杂的离子源设计、更多的腔室及更精确的控制能力，带动设备价值量提升；ONO沉积需保持薄膜均匀性和膜厚控制，涉及到多类工艺的的ALD，带动薄膜沉积设备需求。最后多重曝光和Gate Last HKMG分别涉及重复的刻蚀沉积循环和复杂的伪栅替代工艺，均会带动薄膜沉积和刻蚀设备的用量。此外，在工艺步骤增加的趋势下，过程控制与电学测试设备需求也有望提升。
当前国产设备公司在各类工艺取得突破，如北方华创、中微公司部分高深宽比刻蚀设备已经在下游客户产线实现量产，拓荆科技应用于先进制程的薄膜沉积机台也已在Q3实现量产，同时中科飞测明场纳米图形晶圆缺陷检测设备也已进入先进产线验证。因此，持续突破下，存储设备国产化率有望步入增长快车道。
主要受益标的
刻蚀设备：北方华创、中微公司；
薄膜沉积设备：拓荆科技、北方华创、微导纳米、迈为股份等；
过程控制设备：中科飞测、精测电子等；
后道设备：长川科技、精智达、矽电股份等。
风险提示：下游晶圆厂扩产不及预期、行业竞争格局加剧等。