存储芯片板块跟踪报告（八）：海内外厂商业绩持续修复，关注利基产品价格上涨

（以下内容从开源证券《存储芯片板块跟踪报告（八）：海内外厂商业绩持续修复，关注利基产品价格上涨》研报附件原文摘录）
本周复盘：价格指数继续下探，静待Q3需求回暖
指数方面：据闪存市场，2024年第27周DRAM指数跌势放缓，NAND指数则继续下探，单周分别-0.17%/-0.82%。价格方面：Flash wafer价格持平不变，DDR价格小幅下跌（环比-0.1%）；渠道市场方面，整体需求承压且抢单情况激烈，渠道SSD和内存价格均小幅下跌；行业市场方面，存储行业SSD和内存条价格持平，上游资源保有一定库存且供应端成本普遍偏高，行业存储厂商备货意愿低；嵌入式方面，价格趋稳，现货市场出现少量询单，但市场成交偏少，整体市场观望情绪浓重，部分手机厂商新机将出，或将带来需求回暖。回顾Q2，部分产品线市场流速减缓，持续库存去化；展望Q3，上游原厂和部分终端对于Q3已有初步的涨价预期，市场仍需耐心等待低价库存消耗以及Q3传统需求的回暖。
海外：FY2024Q3美光业绩超预期，三星预计持续调涨DRAM价格
据闪存市场，FY2024Q3美光实现营收68.11亿美元，环比+17%，营业利润率13.8%，环比+10.3pcts；净利润7亿元，环比+47%。公司业绩表现超预期主要系行业供需持续改善导致的产品价格提升、以及产品组合优化，特别是AI相关产品利润最为可观。美光预计2024年全年价格将继续上涨，公司将持续向高利润产品组合转变从而提高盈利能力。据闪德资讯，三星将在2024Q3把服务器DRAM和企业级NAND价格提高15-20%。此外，由于AI需求激增，对存储芯片的竞争随之加剧，公司预计H2业绩将有所改善。业界认为，当前原厂盈利诉求强烈，对产品价格将有强烈支撑，此外，由于原厂正全力发展HBM，挤占DDR3、4产能，有助于该领域供需格局改善，维持产业健康发展态势。
国内：多环节景气提升，看好下半年利基板块厂商业绩复苏
随着产品价格持续修复，国内存储各板块景气度明显提升。芯片厂方面，普冉股份公告显示，公司2024年4-5月实现营收约3.38亿元，同比增长约131%，公司1-5月累计出货约35亿颗，同比翻倍，目前在手订单充足（1.7亿元左右，含税），后续有望助力业绩持续增长。模组厂方面：佰维存储公告显示，公司2024H1预计实现营收31-37亿元，同比增长169.97%-222.22%，表现亮眼。我们认为，随着原厂加速退出DDR3等市场、市场库存逐步去化，下半年利基存储板块供需格局将明显改善，助力产品价格上涨与相关厂商业绩复苏，受益标的：（1）芯片：兆易创新、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、北京君正等；（2）接口：澜起科技、聚辰股份等；
（3）模组：江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创、协创数据、朗科科技等；
风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。