(以下内容从德邦证券《电子行业存储价格周度跟踪-0317:DRAM颗粒价格分化,NAND预计Q2持续上涨》研报附件原文摘录)
投资要点:
DRAM:市场品牌颗粒价格走势不一,终端需求仍可持续观察。根据DRAMexchange,上周(0310-0317)DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅为-1.2%~+1.0%,平均涨跌幅为-0.1%,前值为-0.3%。上周个4料号呈上涨趋势,10个料号呈下降趋势,4个料号价格持平。市场品牌颗粒价格走势有所区分,SKHynix DDR4货源充足,因而以较低价吸引买家,Samsung颗粒官价或将持续上涨,现货价有所支撑,下跌幅度缩小,但仍须观察终端需求而定调。
NAND:供应端积极报价求售,原厂及模组厂预期Q2将持续上扬。上周(0310-0317)NAND颗粒现货价格环比涨跌幅区间为-3.5%~+1.4%,31个品类平均涨跌幅为-0.6%,前值为-0.6%。其中12个型号价格持平,2个型号价格上涨,17个型号价格下跌。市场卖压仍然存续,供应端多积极报价求售,特定品项有部分询单,终端需求略低于预期,工厂端备货速度放缓,整体市场氛围大多处于观望状态,原厂端及模组厂大多预期未来第二季报价将持续上扬,但在终端需求未明朗前,整体备货动作较为保守。此外,NAND Wafer现货价在前四周企稳后,本周上涨+3.2%。作为模组厂的主要成本,NAND Wafer的转涨后续有望带动下游模组厂跟进涨价,进一步改善模组厂盈利能力。
模组端:铠侠向高性能和高密度进发,积极拥抱AI需求。AI井喷式发展加速了存储行业的升级,其中PCIe5.0技术是设备性能提升的关键,而EDSFF新的企业级标准规格优化了SSD的物理尺寸、散热、性能、安装便捷性等多个特性。铠侠CM7系列和CD8P系列均推出了EDSFF E3.S规格的产品,支持PCIe5.0和NVMe2.0,同时具备高密度存储和高吞吐量的性能表现,在能耗与性能间出色平衡,为数据中心和企业级用户提供合理的扩容选择。同时,铠侠聚焦于前沿存储技术研发,218层3D NAND Flash采用创新的横向微缩技术,为4Plane的1TbTLC和QLC,存储Bit密度提升超50%。我们认为,AI时代下,SSD高传输速率与高存储密度的发展趋势将加速迭代,共同催化SSD价量齐升。
相关标的:
存储模组:江波龙(进军企业级&信创市场)、佰维存储(研发封测一体化)、朗科科技(韶关数据中心逐步落地)、德明利(NAND主控+模组)等
存储芯片:建议关注兆易创新(NOR+DRAM龙头)、东芯股份、普冉股份等DDR5配套:澜起科技、聚辰股份等
风险提示:下游需求不及预期、行业竞争加剧、全球贸易摩擦风险。