布局碳化硅衬底+外延设备，设备+材料双轮驱动

（以下内容从东吴证券《布局碳化硅衬底+外延设备，设备+材料双轮驱动》研报附件原文摘录）
晶盛机电(300316)
投资要点
事件：2023年12月13日晶盛机电在SEMICONJAPAN2023日本东京半导体展会上展示了8英寸碳化硅衬底片和8英寸外延生长设备，8英寸碳化硅衬底片已实现批量生产。
晶盛实现碳化硅设备自制，掌握核心长晶工艺。晶盛自2017年开始碳化硅晶体生长设备和工艺的研发，（1）设备：公司坚定电阻法技术路线，并在2020年建立长晶实验室和中试线，目前长晶和核心加工设备均为自制，设备国产化率达到90%以上。（2）工艺：碳化硅衬底长晶最难的是温度、气体、压力的控制，工艺的把握决定了良率水平，晶盛光伏单晶炉的优势为软件算法自制，同时蓝宝石长晶也积累了经验，延续应用至碳化硅长晶。
产能兼容6-8寸，8寸是未来重点。晶盛规划了25万片6寸和5万片8寸衬底片产能，设备从长晶、切片、减薄/研磨、抛光、清洗/检测均兼容6-8寸衬底，伴随良率近期逐渐在提高&摩尔定律的演绎，8寸会快速替代6寸，未来8寸放量后晶盛规划的产能可切换为8寸生产为主。
衬底片性能优越，与中芯集成等达成合作。目前8英寸碳化硅衬底片已实现批量生产，可提供500um和350um两种厚度的8英寸衬底片以满足不同客户要求。6英寸和8英寸量产晶片的核心位错可以稳定实现TSD＜100个/cm2，BPD＜400个/cm2，达到行业领先水平。最新的研发数据核心位错缺陷得到更进一步的改善，TSD和BPD在90%以上面积上趋近0，目标在2024年从研发推动量产，最终实现“TSDFREE+nearBPDFREE”的目标。主要客户包括中芯集成等。
布局碳化硅外延设备（MOCVD），与衬底片协同。晶盛为国内龙头，2023年2月推出6寸双片式外延设备，同年6月推出8寸单片式设备，可兼容6、8寸生产，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内。下游外延片厂商为晶盛衬底片+外延设备客户，形成协同。
盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线，第二曲线是光伏耗材和半导体耗材的放量，第三曲线是碳化硅设备+材料和半导体设备的放量。我们维持公司2023-2025年归母净利润为47/58/70亿元，对应PE为11/9/8倍，维持“买入”评级。
风险提示：下游扩产低于预期，新品拓展不及预期。