电子行业周报：从智界S7看碳化硅产业趋势

（以下内容从中航证券《电子行业周报：从智界S7看碳化硅产业趋势》研报附件原文摘录）
行情回顾
本周电子（申万）板块指数周涨跌幅为+1.3%，在申万一级行业涨跌幅中排名第5。电子行业（申万一级）涨幅居前，跑赢上证指数1.57pct，跑赢沪深300指数2.82pct。电子行业PE处于近五年60.1%的分位点，电子行业指数处于近五年50.8%的分位点。
鸿蒙智行阵营首款碳化硅车型发布，SiC上车渗透可期。
11月28日，华为智界S7正式发布，搭载全新一代华为DriveONE 800V碳化硅高压动力平台，对比硅基IGBT，总成效率提升4.4%，MCU功率密度提升25%。华为智界S7作为华为鸿蒙智行阵营首款搭载碳化硅的车型，或起到一定的宣示效应，加速SiC的上车渗透，SiC也成为未来“华为智能车”主线的重要一环。
年内多款搭载SiC的800V车型上市，价格段有所下沉。
根据集微网统计，截至23H1，全球已有40款SiC车型进入量产交付，23H1全球SiC车型交付超120万辆。诸多重磅SiC车型接踵而来，包括华为鼎力支持的智界S7、问界M9；造车新势力、传统主机厂均推出了SiC车型，800V碳化硅高电压平台逐渐在20-30万价格段区间标配上车，部分品牌价格下探到20万元以下。SiC从01的产业趋势已定，车载SiC有望进一步降本，推动SiC从110加速渗透。
短期看供不应求、产能扩张，长期看技术迭代、提质降本。
我们测算2023年全球车载SiC衬底的需求量为267万片。SiC作为新兴产业，短期内供不应求，国内外玩家积极扩产，规划产能迅速攀升。但整体良率偏低，规划产能并不等于实际交付能力；此外，目前主流商用的SiC生产方法为PVT（物理气相传输法），但长晶速度慢，缺陷控制难度大，导致了SiC衬底的成本居高不下（占SiC器件制造成本的50%）。产业界积极推进LPE（液相法）等方法的研发，减少缺陷密度，提升良率、降低成本。
我们认为，短期内无需过度忧虑SiC产能过剩的问题，改善良率是衬底企业的当务之急，长期存在产能出清的可能，同时各家也都有技术突破从而实现弯道超车的机会。投资方面建议优先关注技术较为成熟且有前沿技术储备的公司。
建议关注
天岳先进、晶升股份、博敏电子
风险提示：
下游需求疲软、技术发展不及预期、行业竞争加剧导致价格战的风险。