半导体深度报告：存储行业已处周期底部，新需求加速拐点到来

（以下内容从华安证券《半导体深度报告：存储行业已处周期底部，新需求加速拐点到来》研报附件原文摘录）
主要观点：
存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处于周期底部位置由于库存水位升高，许多厂商通过产品降价刺激库存消耗。根据美光近期盈利状况，CY23Q1毛利率为-32.66%，近年来首次为负值，CY23Q2毛利率为-17.8%，环比上升14.86pct。根据三星披露的二季度财报，其DS部门第二季度营业亏损4.36万亿韩元，一季度亏损4.58万亿韩元，多家机构预计三星DS部门全年营业亏损将超过10万亿韩元。
龙头厂商减产与削减投资，供给端实现边际改善，有望夯实周期底部由于2022年下游市场需求疲软，美光与SK海力士计划削减2023年资本支出40%~50%不等，并对存储芯片进行减产。2023年6月，美光宣布将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%；SK海力士于2023年7月宣布扩大减产NANDFlash；三星已在2023年4月宣布对存储芯片减产，并在7月宣布决定延长减产计划。
手机市场逐步复苏，AI服务器带来全新价值增量
2023年，随着手机库存去化逐渐成效，并受益于下一代iPhone容量规格提高，TrendForce预测2023年手机DRAM平均用量同比增长6.7%，优于2022年的3.9%，同时2023年智能手机NAND搭载容量年成长仍能维持22.1%的高水位。据TrendForce数据，AI服务器平均容量可达1.2~1.7TB，预估2023年AI服务器出货量近120万台，年增率近38%。AI服务器除原有DRAM外还会用到HBM，因此带来全新价值增量。
DRAM价格跌幅收窄，部分存储产品有望于23Q3涨价
受益于DRAM厂商的减产以及季节性需求支撑，存储厂商库存压力得到减轻，TrendForce预估第三季度DRAM均价跌幅将收敛至0~5%。
从价格走势来看，DRAM现货价格走势与存储厂商股价呈现一定关联性，两者走势相似。当现货价格跌幅开始收窄时，股价便开始筑底反弹。此外，DRAM/NAND厂商的价格走势与NOR厂商方向一致，但幅度会有所差异。根据TrendForce数据，7月DRAM平均固定交易价格环比下跌1.47%，降幅较6月份的下跌2.86%进一步收窄，并且在现货市场，有部分DRAM产品已经止跌，连续两个月持平。因此，随着DRAM现货价格跌幅收窄，预计存储板块也将逐步复苏，迎来投资机会。
建议关注
兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、聚辰股份等。
风险提示
下游复苏不及预期风险、存储价格反弹不及预期风险、龙头减产不及预期风险。