AI行业系列报告：从算力到存力：存储芯片研究框架_股票频道

（以下内容从浙商证券《AI行业系列报告：从算力到存力：存储芯片研究框架》研报附件原文摘录）
2023年3月31日，我国发起对美光在华销售产品的网络安全审查，体现出存储产业安全的重要性。此外，AI算力需求拉动高算力服务器出货，而AI服务器的存力需求更强，AI将驱动“从算力到存力”的中长期需求：
1、海外厂商占据绝对份额，国内存储安全重要性凸显
存力的底层支撑：半导体存储器芯片（主流为DRAM+NANDFlash）。存力的体现形式：数据中心+存储服务器。
海外巨头垄断，国内存储安全重要性日益凸显。全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断，CR3超过95%，全球NANDflash市场由前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，目前CR3市场份额达65%，CR6市场份额接近95%。
2、国内数据圈庞大，AI驱动“从算力到存力”的长期需求
得益于人工智能、物联网、云计算等新兴技术的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长，驱动存储设备在数据中心采购占比进一步提升。据IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全球最大的数据圈。
AI技术革命推动高算力服务器等基础设施需求提升，AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服务器的8/3倍。
3、存储周期拐点已至，库存改善、价格压力缓解
美光23Q1存货环比小幅回落，集邦咨询预测23Q2DRAM价格跌幅收窄至10%-15%（23Q1为20%），库存情况改善、价格压力缓解，存储行业周期迎来拐点。
4、先进存力的前进方向：存算一体、HBM/DRAM、3DNAND
存算一体：将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算的数据搬运环节，消除由于数据搬运带来的功耗，提升计算能效。
HBM/DRAM：作为存储器主流之一的DRAM技术不断升级，衍生出HBM（高带宽内存），其是一款新型的CPU/GPU内存芯片，将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列，突破内存容量与带宽瓶颈。
3DNAND（立体堆叠技术）：可以摆脱对先进制程工艺的束缚，不依赖于EUV技术，而闪存的容量/性能/可靠性也有了保障。
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