存储产业动态·系列研究：存储·产业动向：美光指引积极，存储进入布局期

（以下内容从浙商证券《存储产业动态·系列研究：存储·产业动向：美光指引积极，存储进入布局期》研报附件原文摘录）
投资要点
近日美光发布FY23Q2财报：FY23Q2实现营收36.93亿美元，同比-52.6%，环比-9.6%；Non-GAAP净利润-20.81亿美元；预计FY23Q3营收在35-39亿美元区间；数据中心业务预期FY23Q2触底，年底库存达相对健康状态。AI服务器驱动需求升级+库存步入边际改善期+产品结构升级三因素驱动，国内存储产业链迎来布局时点。
中长期看，AI算力升级驱动存储需求空间上行
据OpenAI测算，2012年以来全球头部AI模型训练算力需求3-4个月翻一番，每年头部训练模型所需算力增长幅度高达10倍。而大容量存储是大算力数据稳定运算的重要基础，依据美光，AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服务器的8/3倍，存储器作为底层刚需或伴随AI算力升级而同步扩容。
中短期看，库存边际改善价格有望探底后回升
美光23Q1存货为81.29亿美元，较上一季度环比回落2.75%，有望持续改善。从需求端看，依据IDC，2021年全球AI服务器市场规模约为156亿美元，预估23年为211亿美元，CAGR达16.30%。AI服务器或带动存储市场景气度提升，加速库存出清；从价格端看，据集邦咨询，23Q2DRAM整体价格跌幅预计收窄至10-15%（23Q1为20%），跌价压力有望缓解。
蓄势待发，国内存储产业链产品结构加速升级
本土存储企业多元化布局，逐步完成DRAM、NAND、NORFlash等产品覆盖，各擅胜场。兆易创新：公司作为NorFlash龙头积极拓展DRAM市场，已于21年6月成功量产自有品牌19nmDRAM，未来将朝17nm演进；普冉股份：截至22H1，公司NorFlash40nm以下新工艺已完成试流片，同时2Mb大容量SPI及I2CEEPROM产品顺利量产，用于高速宽带通信和数据中心领域。随我国存储器企业不断推陈出新，未来存储产业有望深度受益于AI算力提升红利，迎来又一轮景气周期。
重点公司
三星（005930.KS）：全球综合性存储龙头
美光科技（MU.O）：全球DRAM龙头
海力士（000660.KS）：全球DRAM龙头
华邦电子（2344.TW）：全球NORFlash龙头
合肥长鑫（未上市）：国内DRAM龙头
长江存储（未上市）：国内NAND龙头
兆易创新（603986.SH）：国内NORFlash和MCU龙头
东芯股份（688110.SH）：国内SLCNAND龙头
普冉股份（688766.SH）：国内中小容量存储龙头
聚辰股份（688123.SH）：国内EEPROM龙头
恒烁股份（688416.SH）：深耕NORFlash布局存算一体
澜起科技（688008.SH）：国内内存接口芯片龙头
德明利（001309.SZ）：国内SSD存储主控芯片
江波龙（301308.SZ）：国内综合性存储模组龙头
佰维存储（688525.SH）：国内嵌入式存储龙头
北京君正（300223.SZ）：国内车载存储龙头
朗科科技（300042.SZ）：布局NANDFlash及闪存
风险提示：
AI需求不及预期；存储器市场供应链波动风险等。

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