碳化硅行业深度报告：乘新能源之风，行业需求有望高增

碳化硅是第三代半导体重要基础材料，衬底是产业链最核心环节：SiC是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特性，相比硅基器件具有耐高压、耐高温、功耗低、体积小、重量轻等优势。SiC产业链主要包括衬底、外延、器件制造及下游应用四大环节。

需求端：电动车技术升级拉动市场扩容，低耗优势契合能源发展潮流：目前SiC主要应用于汽车、能工业、交通运输、通信等领域，主要产品形式有电动车逆变器、车载充电器、DC/DC变换器、充电装置、光电能量转换器和铁路。行业市场空间方面，根据Yole预测，2021年到2027年，SiC器件市场规模将由10.9亿美元增长至63.0亿美元，CAGR将超过34%。目前多个整车厂例如特斯拉，比亚迪，蔚来等车企搭载SiC模块，800V平台的应用能够大幅提高电动汽车的充电效率，提升续航里程。未来SiC在新能源汽车渗透率有望持续提升。

供给端：衬底成制造工艺关键点，国内厂商加速崛起：碳化硅产业链中，衬底材料是产业链的基础，产业链价值占比达46%，处于核心地位。从SiC晶圆成本来看，衬底成本占比44%，良率损失占比32%，提高良率是SiC降本的核心。SiC衬底竞争格局方面，Wolfspeed占据了45%市场份额，Rohm排名占据20%市场份额，国内天科合达和山东天岳分别占据5%和3%市场份额。SiC器件竞争格局方面，ST占据40%市场份额，英飞凌占据22%市场份额。海外大厂大力扩产占据主要市场，而国内厂商正加速布局，国产化率有望持续提升。

投资建议：斯达半导、时代电气、天岳先进、三安光电、士兰微。

风险提示：市场需求不达预期；中美经贸摩擦、新冠肺炎疫情等外部环境风险；原材料价格波动和供应风险，SiC衬底成本高昂制约下游应用发展的风险。

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