电子行业周报：化合物半导体需求旺盛国产替代加速进行

受移动通信、新能源汽车电子和光电应用带动，化合物半导体需求持续提升：化合物半导体相比单元素半导体具有禁带宽度大、电子迁移率高、具有直接跃迁型能带结构等特性，其中，禁带宽度大使得化合物半导体适用于制作大功率、耐高温半导体器件，电子迁移率高适用于制作高频、高速半导体器件，而具有直接跃迁型能带结构适用于制作光电器件，上述特性和优势使得化合物半导体在移动通信、新能源汽车电子和光电应用等领域拥有广泛的应用前景。

在射频应用市场：与传统硅基RF CMOS工艺相比，基于GaAs工艺的PA的高频损耗低、噪声小并且功率密度高，在5G智能终端市场的竞争力显著，而在5G基站中，与传统的Si基LDMOS工艺相比，基于GaN工艺的PA拥有更高的功率密度、工作频率、工作温度以及更低的发射功耗、能够更好地满足大规模MIMO基站的应用需求。随着5G建设的推进和5G终端设备的普及，射频应用市场对GaAs、GaN等化合物半导体的应用需求有望逐步提升。

在功率半导体应用市场：相比传统的Si材料，SiC是制作更高功率、高效率、高压、高频、高温以及小型化和轻量化功率半导体器件的理想材料之一，这使得SiC功率半导体成为新能源汽车电子市场的理想选择，在逆变器和车载充电器等场景加速普及。在逆变器场景中，相比Si基逆变器（Si IGBT和Si FRD），SiC（SiC MOSFET）可将逆变器效率提升3%-5%，开关损耗降低75％。在车载充电器场景中，与Si基AC-DC转换器（Si IGBT或Si MOSFET）相比，SiC AC-DC转换器（SiC MOSFET）能在保持芯片小尺寸的同时，实现高电压、高效率和高开关频率。

在光电应用市场：化合物半导体主要应用于太阳能电池、半导体照明、激光器和探测器等产品，基于GaAs的太阳能电池有着比Si基太阳能电池更高的效率和更好的耐温性；在光伏逆变器领域，SiC光伏逆变器效率可以达到99%，能量转换损耗可以降低50%以上，可极大降低逆变器的成本和体积。

投资建议：受移动通信、新能源汽车电子以及光电应用需求提升的带动，以GaAs、GaN、SiC等为代表的化合物半导体市场有望保持持续增长，相关产业链有望充分受益，建议关注：三安光电、新洁能、立昂微、华润微、捷捷微电、扬杰科技等。

风险提示：电子行业景气度下滑；下游需求减弱；企业研发不及预期。