事件概述公司发布2020年第三季度业绩报告,2020年Q3单季度公司实现营收18.26亿元,同比增长22.37%;实现归属母公司股东净利润2.84亿元,同比增长169.14%。从环比数据角度来看,公司2020年Q3季度环比Q2增长8.63%,归属母公司股东净利润基本持平。毛利率角度来看,公司2020年Q3单季度为销售毛利率为29.51%,同比有较大幅度提升,环比有小幅提升,我们认为随着公司未来产品结构的持续调整,IDM业务比重逐渐增加,销售毛利率有望整体呈现上升的趋势。
同时,公司发布定增计划,主要用于封测基地的建设,未来有望为公司的长足发展提供驱动力。
MOSFTET全系列产品布局,TIGBT重点突破公司MOSFET产品系较全,包括了高压MOSFETG1.5平台650V产品,S4-5平台600-700V产品;低压MOSFETSGTII平台30V系列,SGT平台85-135V系列产品等。根据我们产业链研究,沟槽型(Trench)MOSFET产品主要应用在低压领域;屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET主要应用在低压200V左右;超结(SJ-MOSFET)主要应用在高压600V-800V领域。我们认为,超级结产品未来有望在新能源、储能、5G(包括服务器、电源系统等)领域快速发展的助力下迎来较为快速的增长,进一步增强公司在MOSFET领域的领先地位。同时,公司在IGBT器件和制造工艺领域积累了多项具有自主知识产权的核心技术,专利覆盖了600V-6500V多个电压平台等多种IGBT器件结构和工艺流程,未来有望在家电、电网等多领域内逐渐获得突破。
CSiC二极管正式发布,化合物半导体未来可期公司官网信息,在近期上海举办的慕尼黑电子展期间,正式向市场投入1200V和650V工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列,同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。其中,1200V产品电流等级从2A到40A,主要聚焦于太阳能、UPS、充电桩、储能、车载电源等应用;而650V产品电流等级为4A到16A,主要聚焦于服务器电源、通讯电源等高效开关电源应用。
投资建议我们维持此前营收预测不变,预计预计2020~2022年公司营收分别为70.06亿元、84.07亿元、100.89亿元;由于公司今年以来产能利用率提升、毛利率改善明显、产线折旧到期以及产品与方案业务的快速增长,我们调整此前业绩预测,预计实现归属于母公司股东净利润9.45亿元、12.16亿元、14.91亿元(此前2020~2022年预测归母净利润为8.42亿元、11.00亿元、13.23亿元)。鉴于公司在MOSFET领域的领先地位及未来IGBT/第三代化合物半导体等新产品突破,成长空间足,我们给予一定的估值溢价,维持“买入”评级。
风险提示存在与累计未弥补亏损相关的风险;半导体行业存在周期性;与国际厂商存在技术差距等。