DRAM行业深度报告:期待国产产能释放改变全球供给格局

存储器市场爆发,DRAM市场前景看好。2017 年全球存储器市场增长率达到60%,首次超越逻辑电路,成为半导体第一大产品。DRAM 继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM 厂商中,三星、SK 海力士和美光均采用IDM 模式继续保持垄断地位,合计市占率超过95%,国产厂商开始积极布局,2018 年将实现量产,有望逐步改变当前产业格局。DRAM 消费产品中,移动终端、服务器和PC 依旧占据头三名,合计占比86%,未来将继续拉动DRAM 消费增长。

三星领先优势明显,传统技术难以替代。三星于2017 年开始量产第二代10nm 级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm 级DRAM 的产能,继续维持与其他DRAM 大厂1-2 年以上的技术差距。新型存储器由于存在CMOS 兼容问题和器件级变化性,且DRAM 的性价比高,技术成熟且具有规模优势,预计未来5-10 年内难以被替代同时,由于DRAM 的平面微缩接近极限并向垂直方向扩展,18/16nm 之后,薄膜厚度无法继续缩减,且不适合采用高介电常数材料和电极,继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势, 3D DRAM 在宽松尺寸下能够实现高密度容量,且寄生阻容减少,延时串扰低,未来可能成为DRAM 的演进方向。

受益于需求增长拉动,DRAM 保持量价齐增态势。随着5G 商用逼近以及云计算、IDC 业务的拉动,移动终端、服务器和PC 侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减,包括三星在韩国平泽的P1 厂房和Line 15 生产线,SK 海力士的M14 生产线,以及美光在广岛的Fab 15 和Fab 16 的扩产计划,但由于光刻技术接近瓶颈,良率问题日益突出以及新技术的出现,各厂商工艺进程都有所推迟,预计2018 年全球DRAM 产能增加10%,2018 年DRAM 依旧保持量价齐增态势。

我们建议关注国家政策资金支持带来的投资机会:兆易创新(A 股存储器龙头)、北方华创(A 股集成电路设备龙头)、长川科技(A 股封测设备龙头)。

风险提示:行业竞争加剧,需求增长不达预期。