武汉新芯或联手紫光集团业内看好中国存储产业迈入新篇章_股票频道

日前报道称，紫光集团预计于武汉成立长江存储科技，未来将纳入武汉新芯并统筹旗下一切存储发展项目，目前整体规划朝向NAND Flash产业发展。武汉新芯公司负责人向证券时报记者未予正面回应，表示截至目前公司没有对外发布任何公告。

另外，对于紫光集团和武汉新芯旗下存储器合并事宜，紫光国芯方面昨日回应记者，尚未收到存储项目合并通知，目前定增拟投向的存储芯片厂项目尚在研讨论证阶段。

紫光旗下紫光国芯（002049）去年抛出800亿元定增项目，其中600亿元募资拟投向建设存储芯片工厂。另外，3月28日，总投资240亿美元（约1600亿元）的存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动，国家集成电路产业投资基金股份有限公司在内的股东共同出资，在武汉新芯的基础上组建一家存储器公司作为存储器基地项目实施主体公司。

目前已有半导体业内人士表示上述事项已经商议。　研究机构TrendForce旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）研究协理杨文得表示，紫光集团与武汉新芯联手，使中国存储器产业发展进入新篇章，可望为后续中国布局自主性存储器产业带来进展。中国厂商近一年来通过布局闪存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑，未来一举一动都将牵动全球闪存产业格局。

据预测，预估2011~2016年NAND Flash位元需求量的年复合增长率高达47%，在SSD需求高度增长的带动下，NAND Flash未来10年可望皆维持高度增长态势，因而紫光集团与武汉新芯目前的发展将着力于NAND Flash产业。

杨文得指出，武汉新芯原为NOR Flash大厂，在生产经验、厂房与产能建置等基础建设领域有所擅长，而紫光集团则在资金募集及策略并购等方面均有过人之处，透过两强携手整合资源，能使中国闪存产业投资的整体资源分配更加集中，并在整合上产生更多综效，对内可以在未来中国闪存产业的发展中瞄准较佳的地位，对外则能提升产业上谈判的筹码，有助于中国建立产业自主性，后续发展值得关注。

据介绍，现阶段武汉新芯在NAND Flash的布局领先其他中国闪存业者，其与飞索半导体合作开发的3D-NAND Flash技术正持续往32层堆叠的初期量产目标迈进，今年3月也在大基金的支持下兴建新3D-NAND Flash厂，预计2018上半年实现量产目标。

作为武汉新芯的封测战略合作伙伴，华天科技(002185)证券事务代表昨日向记者表示，公司与武汉新芯合作主要在存储器项目，尚未达到量产，目前没有收到紫光和武汉新芯存储芯片项目合并通知。去年，华天科技与武汉新芯达成战略合作，双方将在集成电路先进制造、封装及测试等方面开展合作，共同建设中国集成电路产业链。

值得注意的是，国际半导体巨头已经纷纷加码投资先进存储芯片项目。在NAND Flash方面，三星除西安厂的投资外，韩国平泽厂区也规划新的3D-NAND Flash产能。东芝电子与闪迪（SanDisk）在日本Fab2厂的产能持续增加，新厂也可望自2018下半年投产最新制程的3D-NAND。SK海力士则除现阶段M11与M12厂外，M14厂第二阶段3D-NAND的生产也将从明年第一季开始进行。

半导体产业研究机构芯谋研究首席分析师顾文军接受记者采访时表示，存储芯片研发风险高，相比国际巨头，国内水平严重落后，武汉新芯与紫光集团合并项目，共同研发，整合国家资源，有望提高成功率。