证券之星消息，近期东芯股份（688110）发布2026年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：
发展回顾：
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
2、主要产品及服务
存储芯片通过控制存储单元的电荷状态来实现数据的存储与读取，根据断电后数据是否留存，可分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司主要产品涵盖非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM及衍生产品MCP。
（1）NANDFlash
NANDFlash即数据型闪存芯片，主要分为两大类：一类是大容量NANDFlash，包括MLC、TLC及3DNANDFlash等，可擦写次数在数百次至数千次，主要应用于大容量数据存储场景；另一类是小容量NANDFlash，以SLCNANDFlash为主，具备高可靠性，可擦写次数高达到数万次以上。公司NANDFlash产品种类丰富，兼具低功耗与高可靠性优势，已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，广泛应用于通讯设备（如5G模块、光猫、企业级网关）、安防设备（智能监控、数字录像机）、便携式智能终端（AI录音卡）、智能穿戴（手表、手环、AI眼镜）、汽车电子及机器人等终端产品。
公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至1xnm先进水平。产品存储容量覆盖512Mb至16Gb，支持SPI或PPI类型接口，并可选配3.3V/1.8V电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。在核心技术方面，公司SPINANDFlash采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在功能及性能表现上，公司产品支持更高的时钟频率与DTR访问模式，具备高数据吞吐率；深睡眠模式的引入则降低了待机功耗，充分契合移动互联与人工智能领域的新需求。在可靠性方面公司产品表现稳定，单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
（2）NORFlash
NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列采用并联结构，支持按位随机读取与芯片内执行，具备读取速度快、启动时间短等特点，能够满足应用系统对快速启动与及时响应的需求。
公司专注大容量、低功耗SPINORFlash的设计与研发，采用成熟的ETOX工艺架构。产品存储容量覆盖64Mb至2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、消费电子及汽车电子等领域。在性能与成本控制方面，公司产品时钟频率可高达166Mhz，支持DTR访问模式，配合优化的裸片面积，在数据访问速率、功耗及成本效益上具备了较强的竞争力。此外，ECC、CRC及高级扇区保护模式，有效提升了数据可靠性与访问安全性。目前，公司NORFlash产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
（3）DRAM
DRAM是市场主流的易失性存储芯片，利用电容充放电状态实现数据存储。凭借高存取速度与大带宽优势，常作为系统主存、运行内存，用于临时存放运算数据与指令。
公司布局了利基型DRAM产品，涵盖标准型与低功耗型两大系列。其中，公司研发的DDR3(L)系列支持双倍数据速率传输，具备高带宽、低延时特性，广泛应用于通讯设备、移动终端等领域；针对移动互联网及物联网的低功耗需求，公司自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最高时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等领域。
（4）MCP
MCP是将非易失性存储芯片与易失性存储芯片集成于单一封装内的存储解决方案，能够协同实现数据存储与处理功能。
公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗SLCNANDFlash与低功耗DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等主流平台通过认证，广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等终端产品。公司MCP产品规格丰富，DRAM类型涵盖LPDDR1/2/4X，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP产品通过集成技术，有效简化了系统走线设计，显著节省PCB布板空间，在提升产品稳定性与集成度的同时，降低了整体系统成本，特别适用于对空间要求严苛的小型化电子设备。
（5）技术服务
公司拥有完全自主知识产权，构建了涵盖芯片设计、版图设计、测试验证、应用分析、工艺整合、质量管控及技术支持的全方位专业团队。依托深厚的技术积累，公司能根据客户特定需求，提供定制化的存储芯片设计服务及整体解决方案，有效协助客户缩短开发周期、降低研发成本、加速产品导入，显著提升开发效率和成功率。
在定制化服务过程中，公司持续深化市场需求洞察与客户反馈收集，建立了“研发-转化-创新”的良性循环机制，推动公司技术实力稳步提升。
（二）主要经营模式
公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
公司产品销售采用“直销、经销相结合”的销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下订单；经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售。
（三）所处行业情况
2026年以来，全球半导体行业进入AI算力带动的结构性上行周期，行业增长逻辑由传统消费电子单一驱动转变为云端算力、终端智能化共同驱动，行业整体规模快速扩容。依据WSTS2026年6月发布的春季预测，2026年全球半导体市场规模将达1.5万亿美元，同比增长约90%，首次突破万亿美元大关；存储芯片作为核心增长板块，全年销售额预计同比飙升约250%，超过8,000亿美元。TrendForce同步大幅上修存储器产值预测，2026年全球存储器产值预计达8,893亿美元。细分中小容量利基存储赛道呈现供需结构性分化特征，海外头部原厂持续收缩成熟制程产能，工控、车载、物联网等终端刚性需求稳步释放，全品类存储产品价格同步进入持续上行通道，国产存储企业迎来替代窗口期，行业长期成长空间明确。
1、供给侧：海外原厂加速产能重心转移，成熟制程利基存储供给持续收敛
整体来看，三星、SK海力士、美光、铠侠等全球头部存储原厂持续调整资本开支与晶圆产能布局，资源全面倾斜HBM、DDR5、高层3DNAND等高附加值算力存储，主动缩减成熟利基存储产线，成熟晶圆新增投放有限。国内及中国台湾存储厂商成为供给增量核心，但晶圆建厂、工艺爬坡、客户认证周期较长，短期供给缺口难以快速填补，国产替代进程持续加速。
（1）SLCNAND
海外原厂持续出清2D平面SLC产线，全球有效产能持续收缩，工控、车规级高可靠SLC出现持续性供给缺口。当前市场竞争格局重构，国内具备完整SLC自研、量产能力的企业持续承接海外转移订单，2026上半年出货规模稳步抬升，细分市占率持续提升。行业存在客户长期认证、宽温高可靠性工艺、稳定供货三重壁垒，海外厂商短期难以回流扩产，国内企业替代空间持续打开。受成熟代工产能约束，行业新增供给释放节奏平缓，供需失衡支撑产品价格持续上行。
（2）NORFlash
行业主流制造工艺以48nm、55nm成熟ETOX制程为主，少量厂商布局差异化SONOS工艺，全球产能供给主体集中于大陆、中国台湾存储设计企业，海外大厂基本退出通用NOR赛道。行业整体无大规模新增产能投放，车规、工业领域中大容量NOR需求持续走高，但境内外晶圆厂成熟制程扩产规划有限，产线建设、工艺调试周期长达2至3年，短期增量供给不足，高容量型号供需持续偏紧，产品价格保持上涨态势。
（3）利基型DRAM
海外三大DRAM厂商持续压缩DDR3、小容量DDR4、LPDDR等成熟利基产线，产能全面向DDR5、HBM倾斜，利基DRAM供给持续收缩，形成长期产能缺口。国内本土晶圆厂逐步释放适配利基存储的成熟产能，为本土设计企业提供稳定晶圆支撑，但良率提升、产能爬坡周期较长，仅能部分弥补海外原厂退出留下的供给空白，行业供需偏紧格局延续，带动产品价格稳步抬升。
2、需求侧：基本盘需求韧性充足，终端智能化与边缘AI扩容催生结构性增量
（1）SLCNAND
SLCNAND凭借高耐久性、低误码率、宽温稳定性等独特性能，是工业、车载、网络设备等长生命周期高可靠终端的刚需存储方案。同时，在智能家居、可穿戴设备、医疗电子等新兴市场，其应用边界不断拓展。网通设备迭代升级、安防监控智能化、物联网生态扩张等因素持续拉动存储需求；在智能穿戴等细分领域，SLCNANDFlash在代码存储等场景中凭借更快的擦写速度与更高的存储密度，对NORFlash形成了一定替代，推动了相关细分市场的结构性变化。多重需求叠加之下，订单交付周期有所延长，供需缺口持续扩大，报告期内产品价格维持上行趋势。
（2）NORFlash
NORFlash核心优势为片上即时执行、随机快速读取，是各类设备固件、底层程序的标准存储载体。2026年需求呈现结构性分化特征，大容量型号需求增速显著高于通用小容量产品。消费电子领域，TWS耳机、智能手表等保持稳健需求；车载与工业领域为核心增量来源，智能座舱、车载域控制器、自动驾驶设备固件容量持续扩容，带动128Mb及以上中大容量NOR需求快速增长；工业控制、安防摄像机、光模块等设备智能化升级同步提升存储需求；边缘智能领域，各类轻量化边缘智能终端普及，本地小型AI模型存储进一步打开大容量NOR市场。受供需差异影响，报告期内256Mb及以上车规、工控NOR价格上涨相对明显，中小容量通用消费级NOR价格涨幅相对平缓。
（3）利基型DRAM
利基型DRAM以DDR3、低功耗LPDDR、小容量DDR4为主，适配无需超高算力的嵌入式终端，需求具备强抗周期属性。工控领域，工业监控、智能电表、PLC工控设备等需求平稳，设备更新周期稳定；汽车电子领域，新能源汽车中控、车载仪表、车载传感模块持续渗透，低功耗宽温利基DRAM搭载量逐年提升。整体需求无爆发式增长，但下游行业均为长期刚需赛道，需求韧性较强，叠加海外原厂产能持续撤出，市场供需长期偏紧，产品价格保持稳步上行态势。
3、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是目前中国大陆少数同时具备NANDFlash、NORFlash、DRAM三大存储芯片自主研发设计能力的企业，在中小容量存储芯片领域建立了全面的产品布局。在SLCNANDFlash领域，公司持续推进技术迭代，最先进制程已推进至1xnm水平，体现了公司优秀的设计能力和工艺整合技术水平。依托成熟稳定的产品矩阵，公司产品在可靠性、兼容性等方面表现优异，已获得国内外知名企业及下游应用领域头部客户的高度认可，在中小容量存储市场占据了重要的市场地位。在NORFlash与DRAM领域，公司坚持差异化竞争策略。NORFlash产品制程达到48nm行业先进水平，凭借优异的可靠性和宽温工作特性，在对可靠性要求较高的细分市场稳步拓展应用。此外，公司NAND产品与DRAM产品形成有效协同，结合MCP（多芯片封装）技术，为客户提供高集成度、小型化的存储解决方案。这种多元化的产品组合有效满足了客户的一站式采购需求，增强了客户粘性，构筑了坚实的竞争壁垒。
面对行业周期性波动与日益激烈的市场竞争，公司积极实行“存、算、联”一体化战略。在稳固存储主业的基础上，公司依托技术积累，积极布局Wi-Fi7等无线通信芯片赛道，并通过战略投资布局高性能GPU赛道。这一布局旨在实现业务结构的多元化发展，通过产品线的横向拓展，有效平滑存储行业的周期性业绩波动，同时也为公司面向智能终端与网络设备客户提供更多样化的解决方案创造了有利条件。
未来，公司将继续坚持自主创新的发展道路，紧抓国产替代与下游应用智能化升级的市场机遇。公司将持续推进制程技术迭代，加快车规级与工业级产品的认证与导入，进一步巩固在中小容量存储芯片领域的竞争优势；同时稳步推进“存、算、联”一体化战略，不断提升公司的行业影响力和综合竞争力，致力于成为国内领先的芯片设计与解决方案供应商。
二、经营情况的讨论与分析
2026年上半年，受益于AI算力需求持续爆发，海外存储原厂加速退出利基型市场，供给端收缩态势明显；与此同时，网络通信、工业控制、汽车电子等下游应用需求稳步复苏，利基型存储芯片供需缺口持续扩大。公司所面对的存储芯片市场的供需关系呈现结构性紧缺态势，产品市场价格大幅攀升。公司紧抓市场机遇，以SLCNANDFlash为代表的存储业务实现量价齐升，带动上半年营业收入实现大幅增长，整体毛利率亦显著上涨，带动上半年利润水平的显著提高。2026年上半年公司实现营业收入14.97亿元，同比增长336.44%，第二季度营业收入环比增长112.31%；2026年上半年毛利率为67.66%，比去年同期增加48.90个百分点。
2026年上半年公司Wi-Fi板块仍需一定的研发持续投入，已投资的GPU板块尚未实现扭亏，公司归属于上市公司股东的净利润为65,925.87万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为63,640.20万元。尽管联接与计算业务板块的投入短期内对利润表现造成一定压力，但公司存储主业的基本盘持续稳固，整体经营态势良好。
报告期内主要业务情况：
（一）深耕存储主业，推动产品矩阵升级与规模化应用
报告期内，公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、安防监控、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。报告期内，公司研发费用1.38亿元，占当期营业收入的9.21%，研发费用总额相比上年同期增长30.81%，持续高强度的研发投入为技术领先与产品升级提供了坚实保障。
在NANDFlash领域，公司SLCNANDFlash产品制程覆盖3xnm-2xnm-1xnm，产品容量覆盖512Mb～16Gb，内置ECC模块，具备10万次擦写寿命及高耐久、宽温稳定运行特性。报告期内，公司继续加强在SLCNANDFlash行业的技术领先优势，通过电路设计优化与工艺调整，推动存储产品升级迭代。目前，公司1xnm及2xnm制程产品的擦写寿命及数据保持特性均已满足主流应用要求并持续量产。公司正基于上述先进制程持续扩充产品品类，充分释放先进制程带来的成本与性能竞争优势。
在NORFlash领域，公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb～2Gb中高容量的NORFlash产品的研发，产品广泛覆盖可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域。公司精准定位不同容量的客户需求，持续优化性能、功耗与性价比的合理匹配。随着产品迭代升级，公司不断丰富NORFlash产品矩阵，进一步强化了在高可靠性场景下的解决方案能力。此外，公司在实现1.8V、3.3V全品类覆盖的基础上，进一步研发1.2V更低功耗NORFlash，可有效降低系统整体功耗，更好契合便携设备、可穿戴设备及物联网模组等应用场景对低功耗、长续航的需求。
在DRAM领域，公司已实现DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等产品的量产，并持续进行LPDDR4X、DDR4等新产品研发布局。公司产品凭借小尺寸封装、低电压设计及宽温适应性，覆盖消费电子、工业及汽车电子等多元化应用场景，在移动设备轻薄化、工业场景高可靠性及AIoT数据处理需求中展现出技术优势。公司将继续拓宽DRAM产品线，推动产品矩阵多元化发展。
在MCP领域，公司目前已可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块等领域。公司在研产品进一步拓展多容量配置，依托自主研发的SLCNANDFlash与DRAM组合，打造具备成本优势与稳定性能的MCP解决方案，持续丰富产品线，全面满足客户的多样化需求。
在车规级存储领域，公司SLCNANDFlash、NORFlash及MCP三大品类的车规产品阵容持续扩充，更多型号顺利通过AEC-Q100验证。报告期内，公司持续在多款车型中进行车规产品的量产交付，并进一步推进整车厂的白名单导入，加速推进更多海内外Tier1厂商的导入与销售落地。相关产品已成功应用于通信及远程控制系统、激光雷达、机器视觉、电池BMS系统及智慧座舱等汽车电子核心系统。
知识产权方面，报告期内申请中国发明专利21项，获得发明专利授权5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项、注册商标18项。未来，公司将继续坚持“技术驱动发展”的理念，保持高水平研发投入，深化核心技术的自主可控能力，以持续创新驱动主业长远发展。
（二）深化“存、算、联”一体化战略，开辟第二增长路径
报告期内，公司持续推进“存、算、联”一体化战略布局，通过技术创新、生态协同与产业链延伸，逐步构建起以存储芯片为核心，向计算、通信领域延伸的多元化技术生态体系，旨在建立一体化的生态发展体系，为未来增长注入新动能。
在联接芯片领域，公司正按计划稳步推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计工作。基于对市场趋势的研判，公司把握国产高端Wi-Fi芯片替代机遇，精准切入技术壁垒较高的路由、高端黑电透传及车载类Wi-Fi等细分赛道。Wi-Fi7技术作为下一代无线连接核心，凭借更高带宽、更高调制效率及MLO多链路操作特性，可实现传输速率约2至3倍的提升，并将平均延迟降低约80%，能有效满足未来智能终端、AR/VR及云游戏等应用对高速无线连接的严苛要求。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景。报告期内，公司在前期完成原型机样片测试的基础上，持续深化首款无线传输芯片的架构优化与系统级方案打磨。目前主要核心模块已完成实验室验证，测试结果符合预期，核心性能指标已满足Wi-Fi7标准要求。公司正全力推进系统级验证与流片进程，并同步筹备后续的客户送样与导入工作。通过差异化技术创新，公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案，积极培育业绩增长新动能。
在计算芯片领域，公司通过自有资金战略投资上海砺算，布局高性能GPU赛道。上海砺算主要从事多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片的研发设计，坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速，对标主流GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整GPU架构自主可控的关键问题。继首款自研GPU芯片G100完成流片、制造及封装并推出专业级与消费级显卡后，2026年上半年，上海砺算重点围绕产品生态完善、量产工艺优化及市场化导入开展工作。在生态认证与产品优化方面，报告期内成功获得微软WHQL认证，标志着产品在Windows操作系统环境下具备良好的兼容性与稳定性，为进一步拓展主流商业化市场奠定了基础。同时，上海砺算持续推进量产制造工艺的优化，提升产品综合竞争力；在软硬件生态建设方面，持续推进跨平台适配，目前已成功兼容多款主流国产操作系统及处理器平台，并积极与操作系统、处理器、独立软件开发商及整机制造商等产业链上下游厂商开展协同合作，共同推进软硬件适配与行业应用解决方案的落地，为商业化应用奠定生态基础。在市场导入与商业化方面，针对G100产品，上海砺算采取专业级与消费级双线并行的市场策略。在专业级显卡领域，由于产品主要面向AIPC、云渲染、数字孪生等前沿应用领域客户，从技术验证到采购落地周期较长，目前整体销售尚处于起步阶段，主要工作聚焦于重点应用场景的客户导入与系统级验证；在消费级显卡领域，产品已于报告期内成功上线主流电商平台并开启市场化销售，完成了多轮驱动版本的迭代升级，持续扩展应用兼容性并优化实际运行性能。在下一代产品研发方面，为紧跟图形渲染与AI技术演进趋势，上海砺算下一代GPU芯片的研发工作正稳步推进，报告期内各项核心模块的架构设计与验证工作进展顺利，为后续产品性能的提升与迭代落地奠定了坚实基础。
（三）深化产业协同，保障产能稳定与品质交付
公司作为Fabless设计公司，高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建了“本土深度、全球广度”的供应链网络。公司致力于维护与上游合作伙伴的稳定合作，与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等各环节保持良好沟通协作，通过签署并执行产能保证协议等方式深化上下游合作，为业务发展提供产能保障，同时坚持“双轨并行”发展策略，积极拓展境内外双代工模式以满足不同客户需求，并与国内外知名封测厂建立稳定合作关系，确保供应链持续稳定。在营运管理方面，公司深化关键指标管理体系，聚焦供应链管理、生产调度及客户服务等维度，持续优化流程效率，提升运营管理水平，全面推进质量体系建设，强化全员质量文化与流程闭环，数字化与信息安全体系持续升级。
（四）强化人才队伍建设，完善激励约束机制
公司始终坚持“以人为本”的发展理念，视人才为企业发展的核心驱动力，致力于打造高素质、专业化的核心团队。报告期内，公司持续优化人才梯队建设，构建了完善的内部培训体系，通过多层次的管理、业务及技术培训，全面提升员工综合素质与专业能力。在激励机制方面，公司不断完善薪酬与绩效考核体系，建立健全长效激励约束机制，实现股东利益、公司利益与核心团队个人利益的深度绑定。公司已连续五年推行股权激励计划，报告期内顺利实施了2026年度股权激励方案，并完成了2023年、2024年限制性股票激励计划相关归属期的股份登记工作。持续的激励落地有效稳固了优秀人才队伍，充分调动了核心团队的积极性与创造力，增强了团队凝聚力，为公司的健康长远可持续发展夯实了人才基础。
（五）完善公司治理体系，维护股东合法权益
公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的要求，建立健全各项内部控制制度。在此基础上，公司积极顺应《公司法》《上市公司治理准则》的最新修订趋势，结合实际情况对内部治理制度进行梳理与修订，持续完善法人治理结构，明确决策、执行、监督等方面的职责权限，形成科学有效的职责分工和制衡机制，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完整、及时、公平，进一步提升公司规范运作水平和透明度。结合公司实际情况、自身特点及内部控制制度和评价管理办法，公司建立了一套设计科学、简洁适用、运行有效的内部控制体系，确保各项经营活动的合规性与有效性，切实保障公司和股东的合法权益。
公司高度重视投资者关系管理，始终将维护股东利益作为核心工作之一。公司通过定期报告、ESG报告、临时公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电子邮件、投资者热线等多种渠道，构建了多层次的沟通机制，全面而多角度地保持公司的高运营透明度。这些举措保障了广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态，增进市场对公司的了解与信任，有效提升公司信息披露的透明度，为树立良好的市场形象奠定了坚实基础。通过高质量的互动交流，公司积极听取投资者建议，不断优化治理水平，切实维护全体股东的合法权益。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
公司自成立以来专注于中小容量存储芯片的独立研发、设计与销售，是中国大陆少数可同时提供NANDFlash、NORFlash及DRAM等存储芯片完整解决方案的厂商之一，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。
（1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力
依托研发团队在电路设计、工艺制造及封装测试等领域的深厚积累，公司在NANDFlash、NORFlash及DRAM等存储芯片的核心设计环节已形成完整的自主研发能力，构建了覆盖主流存储芯片的多层次产品矩阵，实现了从消费级到工业级、车规级的全规格覆盖，容量涵盖Kb级至Gb级，是国内少数具备全品类一站式存储研发与解决方案能力的企业之一。
支撑上述产品矩阵有效迭代与落地的，是公司打造的通用技术平台与标准化研发体系。在该体系下，公司实现了跨品类的技术协同与复用，控制器设计、固件算法和可靠性工程等核心底层技术可在各产品线间实现无缝迁移，大幅缩短了研发周期并降低了成本。同时，公司依托标准化的开发工具链与测试验证体系，能够快速响应不同工艺节点、容量及封装形式的开发需求，并针对特定应用场景高效输出定制化技术方案，确保了技术创新的持续性与敏捷性。
（2）稳定可靠的供应链体系
公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链战略，致力于构建自主可控且高效协同的供应链体系。经过十余年的深耕，公司已与国内外的领先晶圆代工厂及封测厂建立了深度的战略合作伙伴关系，是国内少数能够通过多个头部代工合作伙伴有效保障产能的存储芯片设计公司之一。于往绩记录期间，公司供应链保持平稳运行，未经历任何重大中断，生产及订单交付维持高效与稳定。在晶圆制造端，公司与战略伙伴在高可靠性、低功耗存储芯片特色工艺平台上开展长期技术协同，通过加大测试模型与向量研发投入、共同优化制程节点，显著提升了晶圆良率与生产效率；在封装测试端，公司与境内外知名封测厂保持稳定合作，为客户提供多样化的芯片封装选择，全面满足下游差异化需求。
（3）完善的质量和服务体系
公司秉持“品质、竞争力、客户满意、持续改进”的质量方针，已将严苛的质量管理深度融入集成电路设计、委外制造监督、客户服务及售后支持等业务的全生命周期。在持续优化项目管理系统与完善客户反馈电子化平台的基础上，公司进一步升级了质量与服务体系，通过优化组织架构与人才梯队建设，实现了内外服务能力的双效提升。一方面，公司充实了资深质量工程与可靠性测试领域的专业力量，强化了质量事务的统筹规划与技术攻坚能力，确保各项质量标准在研发与生产环节的有效落地；另一方面，公司同步提升了客户服务团队的专业配置，依托车规级质量管理体系与生产制程的动态监控机制，将技术支持环节前置，有效缩短了问题响应与处理周期，从而为全球客户提供更为高效、精准的技术服务。
（4）优秀的人才队伍
集成电路设计行业为技术密集型领域，公司秉持“以人为本、创新发展”理念，汇聚了一支兼具深厚产业经验与卓越执行力的核心团队。公司的核心管理团队在存储芯片行业研发、管理及商业化领域拥有丰富经验，对行业技术趋势与客户需求具备深刻洞察，为公司构建了稳定、专业且以执行为导向的管理架构。在研发人才队伍建设上，公司通过社招、校招、内推及内部培养等多元化渠道，成功构建起梯队合理、技术底蕴深厚的研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员216人，占公司总人数的63.53%，其中本科及以上学历占比达98.15%。
为保障核心团队的稳定性与创新活力，除了提供具有行业竞争力的薪酬与完善的绩效考核体系以外，公司还积极实施了股权激励计划，通过长效激励机制有效调动了全体员工的积极性，促使各方利益与公司的长远发展深度绑定，为战略目标的顺利实现提供了坚实的人才保障。
（5）自主可控的技术体系
公司深耕中小容量利基型存储芯片市场十余年，在国内存储芯片行业中构建了全面的自主可控技术平台。公司的技术实力贯穿了产品的全生命周期，涵盖了从芯片架构设计、工艺节点开发及控制器IP开发到固件算法优化、可靠性工程及良率管控等核心环节。凭借高度自主可控的技术能力，公司成功突破了高可靠性应用场景的严苛壁垒，在汽车电子、工业控制及高端通信等领域逐渐占据重要地位。
这一全链条的自主研发能力，不仅构筑了公司的核心竞争力，也沉淀为公司丰富且完整的自主知识产权体系。经过持续研发创新，公司已拥有覆盖主流存储芯片领域的多项核心技术成果，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项以及注册商标18项，为公司的长期技术领先与业务拓展构筑了坚实的竞争壁垒。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司核心技术来源均为自主研发。经过多年的技术积累和研发投入，公司在NANDFLASH、NORFLASH、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。
2、报告期内获得的研发成果
报告期内，申请中国发明专利21项，获得发明专利授权5项（其中中国发明专利4项，美国发明专利1项）；申请实用新型专利1项；申请软件著作权5项，获得软件著作权3项；申请集成电路布图设计权7项，获得集成电路布图设计权2项；申请注册商标13项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项、注册商标18项。
截至报告期末，公司累计申请境内外专利218项，获得专利授权141项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
五、报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入149696.00万元，较上年同期增长336.44%；归属于上市公司股东的净利润65925.87万元，增加77022.72万元，同比扭亏为盈。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润63640.20万元，增加76312.60万元，同比扭亏为盈。
本文数据来源于东芯股份2026年中报，仅供参考不构成投资建议。
首页
微信公众号
证券之星APP
