东微半导（688261）2026年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期东微半导（688261）发布2026年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）所处行业情况

    公司是一家具备从专利到量产完整经验的技术驱动型半导体企业，产品覆盖高性能功率器件、功率模块、数模混合电源管理芯片、数字实时控制器等。公司致力于围绕信号采集、逻辑控制、功率输出等环节，构建完整的“控制－驱动－执行”全链路解决方案，助力算力能源基础设施、新能源电力系统、汽车电子及工业控制等下游客户实现一体化系统应用落地。根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39）。

    1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

    （1）行业发展情况及市场概况

    1）2026年上半年，半导体行业整体呈现高景气度，在AI算力需求爆发、成熟制程产能紧缺等多重因素共振下，迎来了新一轮的上行周期，叠加国内半导体国产替代进程纵深推进，产业链迎来高质量发展的重要机遇期。

    2）全球半导体市场情况，根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）2026年8月公布的数据显示，上半年全球半导体市场规模达到了7020亿美元，同比增幅高达102%，实现了历史性的翻倍增长，细分上存储芯片增速最高（同比增长305%），逻辑芯片同比增长45%，分立器件、模拟、传感器全线正增长。该机构预测2026年全球半导体市场规模将达到1.655万亿美元，同比增长108%，较此前春季预测进一步上调。

    3)我国半导体/集成电路市场情况，国家统计局2026年7月15日公布的数据显示，2026年上半年我国规模以上工业企业的集成电路产量达到2798亿块，同比增长23.1%。海关总署2026年7月14日发布的数据显示，全国上半年集成电路出口金额达1772.8亿美元，同比增长96.1%，出口额创半年度历史新高，已接近2025年全年数值。

    根据Omdia《2026年第二季度，半导体应用领域市场预测工具（AMFT）-中国地区》最新报告数据显示，2026年中国半导体市场预计同比增长率将大幅上修至92.9%，达8120.8亿美元，说明中国的半导体产业发展形态与全球同步，将全面进入AI驱动的科技时代。Omdia认为，AI的全面普及对中国半导体产业基础是巨大的提振，尤其是在半导体成熟制程，功率器件产能逐步扩充的背景下，AI基础设施建设需求将大幅提升国产芯片的利用率，上游供应链产能也将借此迎来订单数量和产能利用率的提升。

    市场与需求端，AI算力需求高速扩张，AI数据中心单机柜供电功率持续抬升，行业新一代架构正朝着兆瓦级高密度供电方案演进，进而拉动先进AI算力芯片、高端存储、功率半导体器件、高速互连芯片的需求大幅放量。竞争格局方面，行业结构性竞争分化，一方面，国内厂商在技术、产能和市场占有率上持续突破，国产化率稳步提升。另一方面，行业内部聚焦不同赛道的企业表现迥异，成功卡位AI高景气赛道的企业，较容易获得业绩与竞争力的双重溢价。聚焦于激烈竞争赛道的企业，受价格和产品结构影响，虽然营收增长，但原材料、代工成本持续上涨，产品端较难顺利涨价转嫁成本。

    （2）行业的主要特点、技术门槛

    1）技术、资本、人才高度密集，行业整体壁垒较高

    ①半导体行业技术壁垒较高，横跨材料科学、固体物理、化学、电子电气工程、精密制造等多门学科，研发迭代持续性强，行业技术发展存在路径依赖，叠加海量布局专利构筑厚重专利壁垒。

    ②行业资本投入门槛较高，其中重资产特征显著的主要是晶圆制造（Foundry/IDM）、设备、材料三大环节，产业链资本高度集中；Fabless设计企业剥离了最重的固定资产型资本开支，由重资产环节转移为“高强度研发+刚性流片费用”的轻固定资产、高费用化投入模式，两者资本投入表现形式不同，但行业资本密集底色未变。行业内企业均需要充足资金方可入局，大额持续投入形成坚固的资本壁垒。

    ③行业高端复合型技术人才稀缺，芯片设计、晶圆制造工艺、半导体设备、配套材料、封装测试各业务环节专业体系相对独立，成熟技术工程师需要长期项目实操积累，培养周期较长，人才壁垒是行业天然的竞争护城河。

    2）产业链高度协同与区域博弈

    半导体产业链条长，涵盖原材料、设备制造、芯片设计、晶圆制造、封装测试等多个环节，全球化分工深，各环节紧密相连，专业性强，彼此依赖度高，近年受地缘政治与自主可控政策影响，区域博弈加剧，各大经济体依托自身产业基础出台本土化扶持、供应链壁垒设置、关键技术出口管制等差异化策略，产业链原有全球化协同格局被持续重塑，欧美依托高端设备、先进工艺占据上游制高点，日韩把持关键晶圆材料与特色工艺，国内则紧抓新能源、工控、AI算力等庞大下游需求，上下游资源争夺、技术标准话语权竞争、核心产能属地化布局较量成为常态，倒逼国内产业链自上而下推动全链条国产化突破，以此对冲外部供应链断供风险，筑牢产业安全底座。

    3）显著的周期性波动

    半导体行业具有强周期性特征，资本开支扩张→产能过剩降价→亏损收缩产能→供需紧张涨价→新一轮扩产，3～5年一轮完整行业周期。

    ①供需错配：产能扩张需要经历“晶圆厂建设-设备安装-工艺调试-良率爬坡”等漫长过程。当下游需求快速增长时，供给难以迅速跟上，导致供不应求；反之，则可能引发产能过剩和价格战。

    ②库存周期：行业会经历“被动去库存”到“主动补库存”的循环。在需求预期乐观时，厂商会主动增加库存以应对订单，推动行业上行；而在需求疲软时，则会降价去库存，加速行业降温。

    4）强认证壁垒、高可靠性要求

    车规、工控、电网级产品需要AEC-Q100、UL、电网准入等严苛认证，认证周期数月至数年不等，客户粘性强，替换成本很高；消费级产品认证门槛相对较低。

    2、公司所处的行业地位分析及其变化情况

    基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉，公司功率器件产品多次斩获中国芯“优秀市场表现产品”奖等荣誉。

    报告期内，公司收购的控股子公司“深圳慧能泰半导体科技有限公司”同样是国家高新技术企业，国家级专精特新“小巨人”企业，并于2025年被评为广东省制造业单项冠军企业。其数模混合的快速充电控制芯片凭借硬核技术性能、广泛市场应用与高度客户认可，先后荣获第十八届和第二十届中国芯“芯火新锐产品”奖；数模混合的开关电源控制芯片荣获第十届中国电源学会的“技术创新奖”。

    功率端，公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。

    IC端，公司研发构建了涵盖数模混合电源管理芯片、栅极驱动、高压辅助电源管理芯片等IC产品矩阵。在数模混合电源管理芯片领域，聚焦于消费电子的快速充电系统应用与智慧工业电源应用，推出了数模混合的快速充电控制芯片和数模混合的开关电源控制芯片的产品组合。针对高性能数字电源系统，公司布局了多款数模混合的开关电源控制芯片产品，以自有专利的数字化开关电源控制技术为核心，辅以高精度、低时延的模拟外设电路，针对服务器电源常见的多个先进拓扑推出专用控制器，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。

    3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

    1）服务器市场及人工智能数据中心建设

    在人工智能应用需求的持续驱动下，服务器产业正步入长周期高速增长阶段。数据中心作为人工智能发展的关键基础设施，伴随海量数据的产生、传输与计算处理需求，迎来新一轮建设热潮，并推动传统数据中心（IDC）向人工智能数据中心（AIDC）加速演进与转型。

    根据研究公司IDC的数据，2026年第一季度人工智能(AI)基础设施支出达到897亿美元，基于Arm架构的机架级GPU服务器取代x86处理器，成为主流加速计算平台。IDC还将2026年全年AI基础设施支出预测上调至4970亿美元，同比增长近56%，主要得益于超大规模云服务商的资本支出增长以及新兴的非GPU类AI需求。全球AI基础设施市场规模将在2029年突破1万亿美元，达到1.08万亿美元，并在2030年攀升至1.21万亿美元，从2025年起五年复合年增长率(CAGR)约为30%。TrendForce集邦咨询最新AI服务器产业研究，在AI基础建设需求高涨的背景下，2026年全球九大云端服务供应商（CSP）总资本支出预估将同比增长约90%,2026年AI服务器出货年成长幅度上调为近31%。由此可见，全球及国内AI算力基础设施维持高景气度，头部云厂商AI相关资本开支持续加码，推动服务器及人工智能数据中心市场规模高速增长。

    根据IDC发布的《中国半年度加速计算市场（2025上半年）跟踪》报告显示，2025上半年中国加速服务器市场规模达到160亿美元，同比增长超过一倍。IDC预测，到2029年，中国加速服务器市场规模将超过1400亿美元。加速服务器专为AI训练与推理、高性能计算等复杂任务设计，正在人工智能、科学研究等领域成为不可或缺的基础设施。IDC还在报告中指出：超大规模数据中心和云服务供应商继续引领投资需求，而传统的本地部署领域在支出方面仍然保持谨慎；GPU、DRAM、SSD等关键组件价格的剧烈波动，需求在短期内持续碾压供应能力，成本压力很可能在2026年更加猛烈地冲击整个产业链，导致对长期合同的需求增加，整个行业也在适应新的形势。

    为适配AI算力场景的超高供电标准，服务器电源系统、CPU与GPU主板供电模块实现技术持续迭代，除广泛搭载SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、SiC-MOSFET、高密度功率模块等功率半导体外，还大量应用各类模拟、混合信号及数字集成电路。包含PFC控制器、LLC谐振控制器、同步整流控制器、VRM多相PWM主控芯片、电源管理MCU、运算放大器、数字隔离器等，承担环路控制、信号采样、保护逻辑、数字通信等功能。功率半导体负责电能变换与功率输出，各类集成电路实现控制与调度，二者协同，共同实现AI算力场景下高效率、高功率密度、高精度的供电需求。

    2）新能源汽车及充电桩领域

    ①新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。

    据中国汽车工业协会整理的海关总署数据显示，2026年1-6月，汽车整车出口530.7万辆，同比增长52.8%；出口金额达918.0亿美元，同比增长53.9%，实现量额齐升，其中，新能源汽车成为出海核心动力。与此同时，国内汽车市场正经历深度调整，行业“内卷”现象显著，2026年前5个月，国内汽车产销分别完成1223.5万辆和1220.7万辆，同比分别下降4.6%和4.2%，国内“内卷”倒逼出海，海外成关键增长极，800V高压、一体化压铸、自研电池等技术溢价已初步兑现，“出海”更多是车企主动全球化布局，这也将有望推动全球新能源车的转型进程和渗透率提升。

    ②国家能源局发布2026年上半年全国电动汽车充电设施数据。根据国家充电设施监测服务平台数据，截至2026年6月底，我国电动汽车充电基础设施（枪）总数达到2305.7万个，同比增长43.2%。其中，公共充电设施（枪）500.9万个，同比增长22.3%，额定总功率达到2.47亿千瓦，单枪平均功率约为49.35千瓦；私人充电设施（枪）1804.8万个，同比增长50.4%，私人充电设施报装用电容量达到1.55亿千伏安。

    为推动充电设施的高质量发展，国家层面密集出台了相关政策。2025年7月，国家发改委等四部门印发《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》，明确定义大功率充电设施为单枪充电功率达到250kW以上的设施，并在规划、应用场景、要素保障、技术标准等方面给予了指引。同年9月，国家发展改革委、国家能源局等六部门联合印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案（2025—2027年）》，进一步明确了今后一段时期充电设施发展的目标和行动路径，为行业的持续扩张提供了顶层设计和政策保障。进入2026年，政策重心转向落地实施与准入规范，财政部、工信部、交通运输部启动县域充换电设施补短板试点工作，下沉补齐县乡充电网络短板；《新型电力系统建设“十五五”规划》也对充电基础设施中长期建设规模、大功率充电布局、车网互动等作出远景部署，持续引导行业规范化、高质量发展。

    在政策的引导和市场的驱动下，快充技术实现了快速突破。液冷、油冷、兆瓦超充、超静音、V2G（车网互动）、光储充一体化等新技术不断涌现，其中充电效率的质变是近年最显著的技术升级。充电桩的核心部件是充电模块，功率器件（如IGBT、MOSFET）和功率模块作为高速电子开关，通过精确、快速地导通和关断，完成电能的形态转换。如SiC器件具有更高的效率、更快的开关速度和更强的耐高温能力，它能让充电模块体积更小、功率密度更高，是实现大功率超级快充（如250kW以上）的关键技术。除功率器件外，还大量应用各类集成电路，构成设备的控制、采样、驱动、通信与保护中枢，主控MCU、PWM控制芯片、栅极驱动芯片、ADC、运算放大器、数字隔离、CAN及以太网通信芯片、计量芯片、电源管理芯片、保护逻辑芯片等。功率器件和模块的性能直接决定了充电桩的充电速度、安全性、效率和可靠性，各类集成电路协同工作，是支撑新能源汽车快充体验背后的核心技术。

    3）5G基站和通信电源领域

    根据工业和信息化部发布的数据显示，2026年上半年我国5G基站总数达510.2万个，比上年末净增26.3万个。5G基站硬件系统同时应用大量功率器件与集成电路，其中功率器件主要应用于射频发射链路及电源供电模块，功率放大环节普遍采用GaN等新型器件实现射频信号大功率输出，同时MOSFET等功率器件承担整机电源整流、DC-DC变换等能量转换功能；集成电路则广泛用于BBU基带单元与RRU射频单元，通过基带SoC、FPGA、RFIC、存储及接口芯片完成5G信号编解码、MIMO信号处理、射频收发变频、协议运算等信号与逻辑处理工作。伴随5GMassive-MIMO技术规模化部署，基站通道数量显著提升，进一步带动功率器件及相关集成电路的需求增长。

    据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）调研团队最新报告“全球通信电源系统市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球通信电源系统市场规模将达到88.9亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为6.0%。通信电源系统，按市场规模和产品应用而言，通信基站是最大的下游市场和最主要的需求来源。功率器件不仅是基站电源和通信电源的必要组成部分，更是支撑5G高效率、高功率密度、高可靠性需求的关键技术要素；同时电源管理、驱动、监控类集成电路承担电源环路控制、信号采样、故障保护及状态通信等功能，是通信电源实现智能化、精细化电能管控的重要基础。随着5G基站、数据中心、物联网设备的普及，对通信电源产品的需求呈现出多样化特征，不同应用场景对电源系统的要求各不相同，行业从业者需要不断创新以满足这些需求。

    4）消费快充领域

    “消费快充领域”主要涵盖消费电子（手机、平板、笔记本等），当前该领域正经历从“配件”向“芯片+解决方案”的“智能能源中枢”转型，技术迭代与市场重构同步进行。氮化镓（GaN）普及，第三代半导体材料成为高功率快充标配，GaN方案显著降低充电器体积与发热，支持更高开关频率。协议融合与标准化，USBPD、PPS、QC及UFCS等主流协议整合，USB-C接口统一加速生态兼容化。欧盟与中国推动标准统一，减少私有协议壁垒。功率持续升级，65W-160W成为多设备场景主流，200W+产品差异化竞争加剧。快充协议芯片是消费电子快充设备等场景的主要器件，负责实现快充协议适配、功率调节及安全保护等功能，包括支持快充协议的智能手机设备，支持快充功能的平板电脑、笔记本电脑的电源适配器端和设备端，是快充协议芯片的重要应用市场。近年来，PD3.1、UFCS等新一代快充标准普及，推动快充协议芯片向高功率、多协议兼容、高集成度方向发展。

    根据CounterpointResearch最新报告，2026年上半年，全球高端智能手机市场（批发均价在600美元及以上）销量同比增长5%，在全球智能手机总销量中的占比升至29%，创下历史新高。据分析，存储成本上涨对中低端市场冲击显著；高端OEM凭借更高的利润率以及减少促销投入，更容易消化成本上涨带来的压力，从而在整体市场承压的环境下维持了需求。

    5）机器人领域

    人形机器人半导体器件选型，主要围绕强大的运动控制、高效的能源管理两大核心需求。其中功率器件承担功率变换与功率驱动职能，集成电路负责信号运算、逻辑控制、感知处理及指令调度，共同支撑机器人智能化、高精度、高稳定运行。关节电机驱动是核心应用场景，亦是功率器件用量最大、技术要求最高的环节，一台人形机器人通常配置30-40个及以上关节（执行器），各关节电机运转均依靠功率器件实现大电流、高可靠性功率驱动；运动系统的精准运转同样离不开集成电路，整机主控SoC、运动控制MCU解析指令并处理传感器反馈，输出精准控制信号以驱动功率器件。在电源管理系统中，功率器件实现电压升降转换与充放电回路管控，电源管理集成电路（PMIC）统筹电源逻辑调控、多路电压稳压及过压、过流、过热保护，二者协同为主控、感知、通信、关节驱动等模块提供稳定供电，提升整机能源利用效率。

    2025年被广泛认为是人形机器人发展的关键元年，“具身智能”和“智能机器人”首次写入2025年政府工作报告，标志着国家层面的战略支持升级；2026年2月，人形机器人与具身智能标准化（HEIS）年会在北京召开，会上正式发布《人形机器人与具身智能标准体系（2026版）》，该体系由工信部标委会组织编制，是我国首个覆盖全产业链、全生命周期的国家级标准顶层设计，标志着国内人形机器人产业迈入标准化发展新阶段。

    据高工机器人（GGII）预测，到2030年全球人形机器人市场规模预计将达到150亿美元，销量规模将增长至60.57万台。其中，中国人形机器人市场规模到2030年将达到近380亿元，销量规模将增长至27.12万台。

    伴随技术迭代演进，市场普遍预期人形机器人有望实现生产效率的显著提升，在工业制造、医疗服务、仓储物流、家庭陪护、科研教育等诸多领域发挥更为重要的作用。但人形机器人仍属于新兴科技产品，行业整体尚处在技术探索的早期阶段，尚未在各类民用场景实现大规模商业化落地。

    （二）主要业务、主要产品或服务情况

    1、主要业务

    公司专注于高性能功率半导体及数字控制IC的研发和销售，产品涵盖高性能功率器件与IC产品。基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率半导体设计厂商。公司产品的终端应用聚焦在工业及汽车相关等中大功率应用领域，同时也广泛应用在消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群，产品获得工业和车载重要客户认可。

    （1）功率器件/功率模块产品业务进展

    车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英搏尔公司颁发的“最佳交付奖”等；

    直流充电桩领域：批量出货给客户A、领充、麦格米特、优优绿能等公司。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛而深入的合作关系；

    服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、麦格米特等公司；

    光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、固德威、麦田能源等公司。并获得麦田能源股份有限公司颁发的“同心鼎力奖”；

    泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝等客户；其中，电机驱动方面，在机器人关节驱动、微型伺服驱动、扫地机器人等领域小批量试产出货；

    高密度电源领域：批量出货给铂科电子、麦格米特、中恒电气等客户；

    报告期内，公司积极推进在SiC系列产品的研发和量产工作，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。

    （2）IC产品业务进展

    报告期内，公司集成电路业务主要依托控股子公司开展数模混合电源管理芯片研发与销售。业务重点围绕消费电子快充系统、智慧工业电源两大应用赛道布局；凭借深耕快充领域形成的技术积淀、全系列的产品布局以及优异的充电适配兼容性，跻身快充领域主流方案供应商梯队。目前产品已实现批量供货，核心客户涵盖联想、三星、台达、群光、光宝、安克创新、倍思、绿联、贝尔金等行业知名企业。

    智慧工业电源业务方面，公司依托先进控制技术攻克多款主流先进电路拓扑项下技术痛点，推出多款国产化的数字电源控制器，并联合行业头部电源企业，合作开发超高效、超高功率密度产品方案。

    公司产品已进入AI服务器、算力电源、通信电源、基站电源、光伏储能、机器人关节、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、工业照明、家电等领域。未来，公司将持续专注于算力能源基础设施、新能源电力系统及机器人等新兴应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的电力电子半导体解决方案厂商为目标，为终端客户创造更大价值。

    2、主要产品

    功率器件领域，公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系2列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件（含SiCMOSFET）以及高密度功率模块。产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

    IC产品领域，公司主要产品包括数模混合的快速充电控制芯片和开关电源控制芯片。快速充电控制芯片围绕各类快充接口生态布局，开发并量产了供电端快充协议系列、受电端快充协议芯片系列和线缆端电子标签芯片等产品，广泛应用于手机、适配器、车充、储能设备、线缆、IoT设备等领域。开关电源控制芯片包括ACDC数字电源控制器系列、DCDC数字电源控制器系列和栅极控制器。

    二、经营情况的讨论与分析

    公司专注于高性能功率半导体及数字控制IC的研发和销售，产品涵盖高性能功率器件与IC产品，可广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域，以及以TV电源板、手机、笔记本电脑等快速充电系统应用为代表的消费电子领域。

    公司坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线，持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，保障产能的有效供给，持续进行前沿技术的合作。

    （一）整体经营业绩情况

    报告期内，公司实现营业收入7.36亿元，较上年同期增长19.58%；实现归属于上市公司股东的净利润10630.18万元，较上年同期增长285.41%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润68.92万元，较上年同期减少92.91%。

    功率半导体行业下游应用分散、产品品类繁多。公司产品在汽车、工业、消费等领域广泛应用，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，报告期内，车规级、工业级领域营业收入占比约为79%。受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响，公司营业收入和毛利率有所上升。

    （二）技术研发情况

    公司坚持技术创新与研发投入，夯实现有产品的技术升级，加快实现新产品的技术迭代。2026年上半年研发费用为5565.28万元，较上年同期增长31.78%；报告期内，公司研发人员数较上年同期增长36.14%。

    公司持续进行新技术开发工作，功率产品端，遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级。IC产品端，与控股子公司慧能泰开展技术整合，搭建起完整数字IC矩阵，覆盖数模混合快速充电控制芯片、数字电源控制器、工业实时控制DSP、高精度BMSAFE、PMIC、栅极驱动、模拟运放等全品类芯片，包含了更多的产品品类和更多的应用领域。报告期内取得多项关键进展，具体进展如下：

    （1）功率器件/功率模块方面

    ①超级结MOSFET方面：

    报告期内，公司12英寸晶圆制造基地产能保持稳定，前期深度扩展与技术优化所构建的制造资源池持续发挥效能，为超级结产品线的技术迭代与规模化交付提供了坚实保障。第四代超级结MOSFET作为当前主力产品平台，制造工艺持续成熟，晶圆测试良率保持高水平，产品一致性表现优异，能够充分满足高端客户对产能和品质的严苛要求。报告期内，公司持续优化器件结构与工艺流程，进一步降低导通电阻（Ron）与栅电荷（Qg），同时改善开关软度，提升系统整体能效；工业级及车规级产品高温可靠性管控进一步强化，失效PPM比率持续降低。第四代产品出货比例稳步提升，延续了上一年度的增长势头。第六代超级结MOSFET作为全新技术平台，研发工作取得阶段性重要进展。报告期内，第六代产品验证结果符合预期。器件性能继续保持国内领先水平，性价比优势明显，该平台将为后续多场景应用拓展提供有力支撑。与此同时，公司持续推进耐压范围拓展，全电压段超结产品布局进一步完善。第四代产品的稳定供应能力与第六代新平台的蓄势待发，将共同构筑公司超级结MOSFET产品在高端功率半导体领域的长远竞争力。

    ②中低压屏蔽栅MOSFET方面：

    报告期内，通过对25V-200V全规格段中低压屏蔽栅产品性能的深度优化，成功量产了多颗高难度规格产品，为客户的国产化替代提供了坚实支撑。其中，40VFSMOS系列实现了从8英寸到12英寸产线的全面迭代；150V-200V平台凭借新开发的独特技术，成为通信与服务器电源等高频应用的理想选择。同时，公司全力推进25V-200V下一代高速系列器件，达成更低的比导通电阻，更小的电容，更快的开关速度，致力于在高端电力电子装备等前沿应用领域创造更大价值。

    ③独创结构的TGBT方面：

    报告期内，公司完成了基于柔性开关技术的650V高速低功耗TGBT产品的研发，产品具备和目前国际头部的IGBT竞品对等的参数能力，在相关客户（含汽车领域）已经完成初步评估，性能满足预期，这将为公司赢得更多的订单机会。使用公司研发的650VTGBT，搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品，已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户，助力TGBT销售量的增长。在TGBT领域，公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值，同时对标国际第八代IGBT技术水平，布局相关器件的前期预研与技术储备。

    ④SiC器件方面：

    报告期内，公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已推出多款涵盖多种封装形式的SiCMOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证，进入稳定交付阶段，并成功切入行业头部客户供应链，覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景；公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单，该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件；650V/750V/1200V第四代SiCMOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段，性能处于国内领先水平；同时，3300V及以上2系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的SiCMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的补充。此外，公司SiC二极管（SiCSBD）已实现规模化量产，公司同步推进高性能沟槽型SiCJFET、沟槽型SiCMOSFET、超结型SiCMOSFET及GaNHEMT等器件的研发工作。

    ⑤功率模块方面：

    依托在功率器件和功率模块上的技术积累，公司模块产品已批量出货，产品聚焦储能、AIDC等大功率密度场景，并针对机器人领域进行小型化低压模块的开发。

    高压领域，依托成熟的SMD3平台，产品涵盖SJMOSFET、IGBT及SiCMOSFET等，可广泛应用于新能源汽车OBC/DCDC、光伏逆变器、储能系统及算力服务器AIDC领域，展现出卓越的功率密度与热管理能力。

    低压领域，低压SGTMOS半桥/全桥模块系列产品显著降低了导通电阻（Rdson）与开关损耗，具备低寄生电感、优异的热阻表现及高功率密度封装等技术亮点。其核心应用场景广泛，涵盖绿色能源与通信领域的高性能同步整流电源、特种交通工具如电动快艇及四轮低速电动车的驱动系统、无人机飞控电源及四足机器人关节驱动模组，以及汽车热管理系统，可以满足市场对高动态响应和高能效的严苛要求。

    （2）IC产品方面

    ①数模混合快速充电控制芯片，主要应用在消费电子的旅行充电器、车载充电器、快充线缆、各类移动式快充设备中。在报告期内，公司对现有优势产品持续迭代，将在单快充端口中应用较为成熟的零外围极简方案扩展到多端口应用场合，进一步加强了产品组合的竞争力。同时，针对主流快充协议USBPD的变更升级，公司也推出了新一代产品，以始终给客户提供最佳性能的解决方案。

    ②数模混合开关电源控制芯片，主要面向工业类场景的PC电源、充电机、服务器电源、中间母线变换器等应用。报告期内，基于上一代产品的反馈，对于分别适用于图腾柱无桥PFC拓扑和交错PFC拓扑的ACDC数字控制器进行了升级优化，提升了产品在EMC性能、动态响应等方面的关键指标，进一步增强了产品竞争力。同时，在DCDC数字控制器产品方面，首次推出了AI数据中心48V供电环节下覆盖硬开关全桥、开环LLC、多相Buck等主流拓扑的数字控制器产品，并向部分行业领先客户送样测试。

    ③工业实时控制DSP系列，对标国际大厂产品，主要面向电源和电机控制应用。产品的数字架构、硬件加速电路和专用接口全自研，新一代产品支持私有协议的工业实时总线。

    ④在辅助电源方面，公司在第三代半导体器件领域的技术积累基础上，积极推进面向车载及AI算力电源的800V辅助电源芯片系列的研发工作，该系列产品具有外围电路极其简洁的特点，可以满足未来800V先进供电系统对电路面积的极致要求。车规级辅助电源适用于新能源汽车主驱辅助电源及高压DC/DC内部辅助供电；AI用辅助电源针对800V高压母线输入场景进行了高压启动及高功率密度专项优化，为AI服务器电源系统提供小体积高可靠性的辅助供电。

    综上所述，报告期内，公司主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，在持续投入研发，提升测试实验能力的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，通过持续的专利布局建立深厚的技术与市场壁垒，为技术创新构筑知识产权护城河，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。

    （三）产业链布局情况

    公司持续追踪优质资产与并购契机，基于业务协同、产业链上下游关系及公司战略规划，对风险收益进行充分评估与审慎决策。2026年上半年，公司顺利完成对慧能泰的控股收购，此次并购以协议芯片+数字能源控制IC为双核心，锚定先进能源数字化趋势，补齐公司在数字控制领域的技术短板，推动从“功率器件”到“系统方案”的战略跃迁。本次并购落地开启了公司“控制-驱动-执行”全链路布局的新篇章，充分彰显公司从单一功率器件供应商转型为电源系统解决方案供应商的战略决心。

    （四）供应链布局情况

    报告期内，公司在供应链协同方面持续深化。在晶圆代工端，公司与上游制造企业保持了稳定的业务与技术合作。通过前瞻性的采购策略，公司有效应对了产能的周期性波动，确保了产品交付的及时性。此外，公司持续关注并协助代工伙伴进行创新工艺流程的开发，并根据其制造能力进行深度定制化的工艺与产品适配，实现了双方技术能力的相互促进与共同提升。

    在封测端，公司整合供应链资源，强化了对封装与测试环节的协同管理。公司与合作伙伴共同开发适用于不同产品特性的先进封装方案与高效测试策略，以此推动代工成本的优化与整体效率的提升，从而不断增强供应链的自主可控能力。

    （五）总部基地建设情况

    报告期内，公司总部基地项目正式奠基，基地以高端化、智能化、一体化为建设目标，围绕新型功率器件、新一代功率管理控制芯片的研发及产业化布局。短期层面，项目有利于优化公司资产结构，改善运营管理质量；长期而言，本次建设不局限于场地扩容，更是创新体系的提质升级。项目建成后将集中整合研发、实验、办公资源，提升综合管理效率，为公司持续开展技术攻关、产品快速迭代夯实硬件载体与运营基础。

    五、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入7.36亿元，较上年同期增长19.58%；实现归属于上市公司股东的净利润10630.18万元，较上年同期增长285.41%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润68.92万元，较上年同期减少92.91%。公司主营业务收入分产品系列实现情况主要如下：（1）公司超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入4.54亿元，较2025年同期减少3.28%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入1.97亿元，较2025年同期增长67.50%；（3）公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入3008.83万元，较2025年同期增长45.59%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入153.22万元，较2025年同2期减少9.28%；（5）公司SiC器件产品（含SiCMOSFET）报告期内实现营业收入207.42万元，较2025年同期增长494.14%；（6）公司功率模块产品报告期内实现营业收入367.53万元，较2025年同期减少39.84%；（7）公司PD快充产品报告期内实现营业收入4321.15万元。

    报告期内，公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展，其中，车规级、工业级领域主营业务收入占比约79%，主要来自各类工业及通信电源、车载充电机、光伏逆变器、大功率照明电源等领域。公司主要细分领域收入具体表现为：各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比重逾37%，该领域收入较上年同期增长约15%；车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重逾14%，该领域收入较上年同期减少逾21%；光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重约14%，该领域收入较上年同期增长逾130%；消费电子设备领域收入占当期主营业务收入的比重约12%，该领域收入较上年同期增长约99%。

    报告期内，公司主营产品稳定批量出货，同时积极推进多款新品的送测认证工作，预计将为公司主营产品的销售带来持续的促进作用。

本文数据来源于东微半导2026年中报，仅供参考不构成投资建议。