新易盛获得发明专利授权：“半导体器件结构及其制备方法和半导体器件阵列”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新易盛（300502）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件结构及其制备方法和半导体器件阵列”，专利申请号为CN202610458487.0，授权日为2026年6月26日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法和半导体器件阵列，涉及半导体封装技术领域，该半导体器件结构包括衬底、双层器件层、背面重布线层和键合焊盘，衬底被配置为接地，且衬底的正面设置有贯穿至背面的导电硅柱，衬底的正面还设置有活动凹槽。双层器件层包括第一器件层、第二器件层和微动结构，第一器件层设置在衬底的正面，第二器件层位于第一器件层远离衬底的一侧，微动结构设置在双面器件层中，并位于活动凹槽上方。背面重布线层设置在衬底的背面，键合焊盘设置在第二器件层远离衬底的一侧表面。相较于现有技术，本发明实施例既能够满足高密度布线的需求，又能够降低封装可靠性隐患，避免封装带来的热应力损伤，保障器件性能。

今年以来新易盛新获得专利授权8个，较去年同期减少了20%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了7.02亿元，同比增74.16%。

通过天眼查大数据分析，成都新易盛通信技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目11次；财产线索方面有商标信息6条，专利信息240条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可41个。

数据来源：天眼查APP

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