晶合集成获得发明专利授权：“电容结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“电容结构及其制造方法”，专利申请号为CN202610436485.1，授权日为2026年6月23日。

专利摘要：本申请涉及一种电容结构及其制造方法，包括：提供基底，于基底上形成底部金属层，并于底部金属层上形成图形化的第一掩膜层；对底部金属层进行图形化处理，以形成下极板和对准标记；去除第一掩膜层，于下极板、对准标记和基底上形成介质层；于介质层上依次形成顶部金属层和第二掩膜层，顶部金属层中位于对准标记的正上方的部分形成有第一对准凸起，第二掩膜层中位于第一对准凸起的正上方的部分形成有第二对准凸起；基于第二对准凸起对第二掩膜层进行对准及图形化处理，并刻蚀顶部金属层以形成上极板，且上极板朝向基底的正投影落入下极板朝向基底的正投影内。本申请在不增加掩膜层的同时提高了对准精度，有助于提升电容结构的性能及稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权248个，较去年同期增加了40.11%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目645次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1699条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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