晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202610276804.7，授权日为2026年6月19日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供表面形成有栅极结构的衬底，栅极结构包括伪栅及沿远离伪栅的方向依次形成的第一牺牲层、第一侧墙、第二牺牲层和第二侧墙；于栅极结构和衬底上形成覆盖栅极结构侧壁的刻蚀停止层；于刻蚀停止层上形成中间层，使刻蚀停止层、中间层、栅极结构的表面齐平，并使栅极结构的顶部暴露；去除第一牺牲层、第二牺牲层，及刻蚀停止层中覆盖栅极结构侧壁的部分，以分别对应形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；于中间层上形成覆盖栅极结构的外延层，以使第一凹槽和第二凹槽内形成空隙；对外延层和中间层进行氧化处理以形成层间氧化层。本申请降低了半导体器件的横向RC延迟，提升了半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权241个，较去年同期增加了39.31%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目645次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1699条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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