晶合集成获得发明专利授权：“一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构”，专利申请号为CN202610247747.X，授权日为2026年6月16日。

专利摘要：本发明属电子器件结构技术领域，公开一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构。该方法先利用硅前驱体、惰性气体，借助气压脉冲波和惰性气体的重扩散，将硅前驱体引入至衬底，并促进硅前驱体分子深入Trench各区域。再借助气压脉冲波引入氮前体物，并经等离子体反应和热能横向迁移，使氮化硅薄膜在Trench内均匀沉积，减少缺陷，提高芯片结构完整性与电气性能稳定性。因等离子体反应活性高，反应迅速；且沉积工艺为非自限制反应，不受反应产物吸附和反应速率严格限制，能短时间沉积较厚薄膜，提升生产效率、降低成本。此工艺可沉积高质量、高覆盖性薄膜，降低芯片故障率，提高良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权236个，较去年同期增加了38.82%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目645次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1693条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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