晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202511727064.6，授权日为2026年6月16日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底；所述基底包括衬底，所述衬底形成有定义有源区的浅沟槽；其中，所述浅沟槽两侧具有暴露的部分有源区，且所述部分有源区的表面与所述浅沟槽的侧壁相邻接形成初始顶角区域；在所述浅沟槽的侧壁形成氧化消耗补偿部；所述氧化消耗补偿部的氧化速率高于所述衬底的氧化速率；针对所述部分有源区和所述氧化消耗补偿部进行氧化工艺，以形成目标顶角区域，所述目标顶角区域相较于所述初始顶角区域具有圆角形貌。如此，能够抑制在进行浅沟槽的顶角圆化后出现有源区尺寸缩小。

今年以来晶合集成新获得专利授权236个，较去年同期增加了38.82%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目645次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1693条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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