普冉股份获得发明专利授权：“一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示普冉股份（688766）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备”，专利申请号为CN202411941229.5，授权日为2026年4月28日。

专利摘要：本发明提出一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备，对待测芯片进行数据异常电压临界测试，确定待测芯片的临界电压值，其中，待测芯片为待测的Flash芯片；确定临界电压值是否大于电压阈值，其中，电压阈值与待测芯片的负偏置电压的目标档位对应；若大于电压阈值，则确定待测芯片的负偏置电压异常。在无法直接测量负偏置电压的情况下，通过待测芯片的临界电压值从侧面对待测芯片的负偏置电压进行安全评估，从而实现异常Flash芯片的筛选，保障筛选结果的准确性。

今年以来普冉股份新获得专利授权4个，较去年同期减少了20%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了2.97亿元，同比增22.86%。

通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息35条，专利信息220条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可7个。

数据来源：天眼查APP

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