中微公司获得发明专利授权：“形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构”，专利申请号为CN202011578788.6，授权日为2026年1月13日。

专利摘要：本发明公开了一种形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构，包括：提供一基底，基底上设有待刻蚀层，待刻蚀层上设有图案化后的图形层，待刻蚀层的厚度与图形层的厚度比大于5；向图形层的表面通入第一气体，所述第一气体包括：H2和CHyFz，0≤y≤3，02的流量比为3：1～1：3；第一气体与图形层顶部发生形成硬化层；形成硬化层后，以图形层和硬化层为掩膜，通入第二气体，刻蚀待刻蚀层，直至暴露出基底的顶部表面，在待刻蚀层内形成凹槽。本发明通过硬化层对图形层进行保护，提高待刻蚀层对图形层的选择比，确保在深刻蚀时掩膜能够有效掩蔽，满足刻蚀要求。

今年以来中微公司新获得专利授权15个，较去年同期增加了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了11.16亿元，同比增96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目75次；财产线索方面有商标信息108条，专利信息1644条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可77个。

数据来源：天眼查APP

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