中微公司获得发明专利授权：“一种等离子体蚀刻装置及其工作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种等离子体蚀刻装置及其工作方法”，专利申请号为CN202311267667.3，授权日为2025年11月11日。

专利摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀装置，包括：反应腔，其内设有基座；限制环，其围绕基座的外围设置，限制环具有多个气体通道；中接地环、下接地环，设置在基座的外围，分别沿基座的径向、轴向延伸；中接地环连接下接地环和反应腔的侧壁，下接地环的底部连接反应腔的底壁；反应腔内具有由下接地环的外部、中接地环的下方和反应腔围成的射频屏蔽区；至少一个线圈，围绕下接地环设置在射频屏蔽区；线圈在限制环所在位置处产生的水平方向的磁场分量，用于限制从等离子体反应区域排出的带电粒子由气体通道流入排气区域。本发明还提供一种等离子体刻蚀装置的工作方法。本发明能够提升抽气效率，并保证足够的电子、离子碰壁率，降低等离子体泄露的风险。

今年以来中微公司新获得专利授权149个，较去年同期增加了49%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了11.16亿元，同比增96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目68次；财产线索方面有商标信息99条，专利信息1603条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可77个。

数据来源：天眼查APP

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