广立微获得发明专利授权：“一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和方法”，专利申请号为CN202111668933.4，授权日为2025年7月22日。

专利摘要：本发明公开了一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和测试方法，所述电学测试结构形成有至少两根Fin，其中一根为非待测Fin记为Fin0，在剩下的Fin中选择至少一根为待测Fin记为Finn；Finn和Fin0平行排列，Finn与Fin0之间具有一定距离，构成第一间距；其中，n为正整数；至少一个第一连接部记为Link_A、至少一个第二连接部记为Link_B；Link_A与Finn电连接，Link_B与Fin0电连接。本发明提供的电学测试结构简单、易于制造，适用于FinFET工艺生产过程中，对Fin制造过程中产生的间距飘移（Pitch Walking）问题进行监控，可以及时发现工艺生产缺陷并有效修正半导体生产过程，提高产品的成品率。

今年以来广立微新获得专利授权47个，较去年同期增加了88%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了2.77亿元，同比增33.49%。

通过天眼查大数据分析，杭州广立微电子股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目45次；财产线索方面有商标信息132条，专利信息228条，著作权信息91条；此外企业还拥有行政许可56个。

数据来源：天眼查APP

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