晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510329859.5，授权日为2025年6月27日。

专利摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括：衬底，所述衬底内包括间隔的源区和漏区；所述衬底顶面包括位于所述源区和所述漏区之间的栅极结构，所述栅极结构包括沿背离所述衬底的第一方向依次堆叠的栅介电层、复合功函数层和栅极材料层，所述复合功函数层至少包括沿平行于所述衬底的第二方向排布且功函数值不同的第一功函数调节结构、第二功函数调节结构；其中，所述第一功函数调节结构和所述第二功函数调节结构分别包括沿所述第一方向叠层数不同的功函数材料叠层结构。通过使复合功函数层在横向方向的不同区域具有不同的功函数值，以使半导体器件在横向方向上抵御电场的强度不同，提升半导体器件的击穿电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权189个，较去年同期增加了11.83%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1157条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：天眼查APP

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