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扬杰科技获得实用新型专利授权：“降低导通损耗SiC器件”

来源：证券之星企业动态 2025-04-01 03:09:35

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“降低导通损耗SiC器件”，专利申请号为CN202421476063.X，授权日为2025年4月1日。

专利摘要：降低导通损耗SiC器件，涉及半导体技术领域。隔离介质层覆盖在门极Poly层的顶面，并向下延伸与N+区连接；碳化硅Drift层顶面的中部设有源级Poly层，源级Poly层的侧部设有与之间隔设置并与隔离介质层连接的欧姆接触合金层；源级Poly层和欧姆接触合金层之间设有向上延伸的氧化物介质层。欧姆接触合金层底部与碳化硅Drift层中的N+区和P+区接触，将P?base区、N+区和P+区同电位，提高器件耐压能力。

今年以来扬杰科技新获得专利授权20个，较去年同期减少了13.04%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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