晶合集成获得发明专利授权：“版图结构和多次可编程存储器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“版图结构和多次可编程存储器”，专利申请号为CN202411515200.0，授权日为2025年2月28日。

专利摘要：本申请涉及一种版图结构和多次可编程存储器。版图结构包括：衬底，包括P型阱区和N型阱区；其中，P型阱区包括第一电阻调节区，第一电阻调节区包括P型接触区，P型接触区用于连接外部第一金属线；N型阱区包括第二电阻调节区，第二电阻调节区包括N型接触区，N型接触区用于连接外部第二金属线；浅沟槽隔离结构，位于P型阱区和N型阱区之间，其中，位于浅沟槽隔离结构的底部的第一电阻调节区朝向浅沟槽隔离结构的投影面积，大于位于浅沟槽隔离结构的底部的第二电阻调节区朝向浅沟槽隔离结构的投影面积。如此，增大了P型阱区与相邻N型阱区之间漏电路径上的路径电阻，从而降低了P型阱区与相邻N型阱区之间的漏电。

今年以来晶合集成新获得专利授权31个，较去年同期减少了43.64%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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