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新洁能获得发明专利授权：“沟槽功率半导体器件及制造方法”

来源：证券之星企业动态 2024-09-07 02:31:22

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“沟槽功率半导体器件及制造方法”，专利申请号为CN202011376901.2，授权日为2024年9月6日。

专利摘要：本发明涉及一种沟槽功率半导体器件，在漏极金属上设有第一导电类型衬底、第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型体区与第二导电类型阱区，在第二导电类型体区内开设有第一类沟槽，在第二导电类型阱区内开设有第二类沟槽，所述第二类沟槽围绕所述第一类沟槽设置，所述第二导电类型体区的第二导电类型杂质的浓度峰值大于第二导电类型阱区的第二导电类型杂质的浓度峰值，本发明能够提高功率半导体器件的终端耐压，提高功率半导体器件的可靠性。

今年以来新洁能新获得专利授权26个，较去年同期增加了85.71%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4046.81万元，同比减13.75%。

数据来源：天眼查APP

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