聚灿光电获得发明专利授权：“具有N型电子阻挡层的LED外延结构、制备方法和器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示聚灿光电（300708）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有N型电子阻挡层的LED外延结构、制备方法和器件”，专利申请号为CN202010361865.6，授权日为2024年8月6日。

专利摘要：本发明提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构、制备方法和器件，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、复合N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层。所述复合N型半导体层沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层、复合N型电子阻挡层和第二N型半导体层。其中所述复合N型电子阻挡层依次包括金属化的粗化层、在所述粗化层表面形成的具有凹凸曲面结构的停顿退火层、在所述停顿退火层上的具有凹凸曲面结构的超晶格层。本发明通过形成具有凹凸精细结构的N型电子阻挡层，来提升电子载流子的横向扩展能力，提升LED发光效率。

今年以来聚灿光电新获得专利授权1个。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6044.99万元，同比减11.7%。

数据来源：企查查

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