扬杰科技获得实用新型专利授权：“源极底置Si基GaNHEMT器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“源极底置Si基GaNHEMT器件”，专利申请号为CN202323267348.0，授权日为2024年7月30日。

专利摘要：源极底置Si基GaN HEMT器件，涉及一种半导体技术领域。包括Si基GaN外延片；所述Si基GaN外延片的底面设有源电极，顶面设有延伸至GaN本征层下方的U型槽；所述U型槽的内侧壁设有从槽底向上延伸至GaN本征层的P型Si；所述P型Si上设有延伸至与AlGaN势垒层顶面齐平的N型Si；所述U型槽内设有与N型Si和P型Si贴合并覆盖U型槽槽底的隔离层；所述隔离层内设有多晶硅；所述多晶硅上设有栅电极；所述Si基GaN外延片的端部设有从GaN本征层向上延伸并从AlGaN势垒层顶面伸出的漏电极。沟道电阻变小有利于减小器件导通损耗并提升器件工作效率，有利于器件工作在更大功率条件下，从而推动Si基GaN HEMT在电力电子领域的发展和应用。

今年以来扬杰科技新获得专利授权60个，较去年同期增加了106.9%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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