卓胜微获得发明专利授权：“一种偏置电路及基于GaAsPHEMT工艺的集成模块”

证券之星消息，根据企查查数据显示卓胜微（300782）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种偏置电路及基于GaAsPHEMT工艺的集成模块”，专利申请号为CN201810343400.0，授权日为2024年7月23日。

专利摘要：本发明实施例公开了一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中，偏置电路包括：L级偏置单元；第i级偏置单元的输出端与第i?1级偏置单元的输入端电连接；第L级偏置单元的输入端与电源电压输出端电连接；第1级偏置单元的输出端与偏置电路的输出端电连接；每级偏置单元包括串联连接的分压电阻和至少一个N型晶体管；每个N型晶体管的栅极与漏极电连接；任意一级偏置单元的输出电压与输入电压成1/2次幂的关系，L级偏置单元的设置，能够降低电源电压对偏置电路输出电压的影响。本发明实施例提供的技术方案，可解决现有GaAs PHEMT工艺的偏置电路输出的偏置电压易受电源电压影响的问题。

今年以来卓胜微新获得专利授权24个，较去年同期增加了242.86%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了6.29亿元，同比增39.99%。

数据来源：企查查

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