扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种隔离栅碳化硅MOSFET器件”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种隔离栅碳化硅MOSFET器件”，专利申请号为CN202322893062.7，授权日为2024年7月2日。

专利摘要：一种隔离栅碳化硅MOSFET器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的碳化硅衬底，碳化硅漂移层和正面金属层；所述碳化硅漂移层的顶面设有向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区；所属NP区的深度小于PW区的深度；所述NP区内设有向下延伸的PP区；所述碳化硅漂移层的顶面依次设有向上伸入正面金属层内的栅氧层和Poly层；所述碳化硅漂移层的顶面设有包裹所述栅氧层和Poly层的氧化物隔离层，所述氧化物隔离层底端分别与碳化硅漂移层和NP区连接；所述氧化物隔离层的侧部设有与PP区连接的欧姆接触金属层。本实用新型一定程度上可提高器件的开关性能，降低开关损耗。

今年以来扬杰科技新获得专利授权46个，较去年同期增加了109.09%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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