晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202410472192.X，授权日为2024年6月28日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述方法保留晶体管的侧墙底部的部分阻挡层，以阻挡空气进入，避免生成不稳定的镍氧化合物。且在暴露的衬底及晶体管内形成第一预非晶化区域和第二预非晶化区域，以在后续热退火工艺中利用第一预非晶化区域形成的高阻态阻挡镍离子伸入至晶体管的沟道及轻掺杂区中，造成漏电流；以及利用第二预非晶化区域吸附氧离子并去除，避免氧离子对镍硅化合物生成造成不良影响。此外，所述方法还采用第一预清除工艺去除暴露的衬底及晶体管表面的自然氧化物；采用第二预清除工艺在第一金属层中形成孔隙；并利用第二金属层填充孔隙，实现对第一金属层的包覆，避免第一金属层与氧接触，利于形成稳定的镍硅化合物。

今年以来晶合集成新获得专利授权169个，较去年同期增加了65.69%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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