长光华芯获得发明专利授权：“一种半导体发光结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体发光结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410263217.5，授权日为2024年5月14日。

专利摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：依次层叠的半导体衬底层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层和第二限制层；有源层包括层叠的第一超晶格有源层和第二超晶格有源层，第二超晶格有源层位于第一超晶格有源层背离第一波导层的一侧；半导体发光结构还包括：位于第二超晶格有源层和第一超晶格有源层之间的插入层，插入层的折射率小于第一超晶格有源层的有效折射率且小于第二超晶格有源层的有效折射率。提升半导体发光结构的光束质量。

今年以来长光华芯新获得专利授权7个，较去年同期减少了22.22%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.19亿元，同比增0.64%。

数据来源：企查查

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