晶合集成获得发明专利授权：“图像传感器的制作方法及图像传感器”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“图像传感器的制作方法及图像传感器”，专利申请号为CN202410065880.4，授权日为2024年4月26日。

专利摘要：本公开涉及一种图像传感器的制作方法及图像传感器，图像传感器的制作方法，包括以下步骤：提供基底；在基底上形成第一氮化硅层，第一氮化硅层包括氢离子，第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，第二氮化硅层具有第二应力，第二应力和第一应力相反。本公开的图像传感器的制作方法及图像传感器，减少了第一氮化硅层的游离的氢离子，避免游离的氢离子损伤基底的表面，同时第二应力和第一应力相反，减小了基底上的叠层对基底表现出的应力，从而降低图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高了图像传感器的成像质量。

今年以来晶合集成新获得专利授权108个，较去年同期增加了134.78%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.58亿元，同比增23.39%。

数据来源：企查查

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