晶合集成获得发明专利授权：“NMOS晶体管制备方法及NMOS晶体管”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“NMOS晶体管制备方法及NMOS晶体管”，专利申请号为CN202311696955.0，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本申请涉及一种NMOS晶体管制备方法及NMOS晶体管，首先提供衬底，衬底内包括阵列排布的多个有源区及用于限定多个有源区的沟槽，沟槽的内侧壁上形成有衬垫氧化层，于沟槽内形成顶面低于衬垫氧化层的顶面的填充层，至少经由沟槽的内侧壁向有源区内依次形成第一预非晶化阻挡层、第二预非晶化阻挡层，并在第一预非晶化阻挡层和第二预非晶化阻挡层之间进行P型离子注入，去除填充层后，于沟槽内形成覆盖衬垫氧化层的缓冲隔离层，缓解后续形成隔离结构时的生长应力，并于沟槽内形成顶面不低于衬垫氧化层的顶面的隔离结构，再于有源区内形成NMOS晶体管，提高了NMOS的阈值电压，改善了NMOS晶体管的反窄沟道效应。

今年以来晶合集成新获得专利授权87个，较去年同期增加了112.2%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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