国星光电获得发明专利授权：“一种IGBT模块封装结构及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示国星光电（002449）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种IGBT模块封装结构及其制作方法”，专利申请号为CN202110738971.6，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本发明公开一种IGBT模块封装结构及其制作方法，其中IGBT模块封装结构的底板上依次层叠设置有基板和线路层，基板的第一金属层的凹槽内设置有第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片的底部电极通过第一金属层与线路层上的第一连接端子电连接，第一芯片的顶部电极和第二芯片的一个顶部电极与线路层上的第二连接端子电连接，第二芯片的另一个顶部电极与线路层上的第三连接端子电连接；外壳上设置有三个引线端子，三个引线端子分别与三个连接端子电连接。将第一芯片和第二芯片设置在凹槽内，减小了IGBT模块封装结构的尺寸；通过在第一金属层上设置线路层，实现了芯片之间的低功耗和高速通讯，提高了IGBT模块可靠性。

今年以来国星光电新获得专利授权14个，较去年同期增加了7.69%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了8006.88万元，同比减4.28%。

数据来源：企查查

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