广立微获得发明专利授权：“一种测量套刻误差的方法及测试结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种测量套刻误差的方法及测试结构”，专利申请号为CN202110106733.3，授权日为2024年4月2日。

专利摘要：本发明公开了一种测量套刻误差的方法及测试结构，可应用于晶圆套刻误差的测量。所述测试结构由第一光罩和第二光罩按预置套刻偏移量交叉叠加组合，所述预置套刻偏移量分为零偏移量、左偏移量及右偏移量。本发明通过设计的测试结构结合电学测量法来准确测量晶圆的套刻误差，相对于传统的光学测量法，本发明中的电学测量法更易于实现，测量值接近于真实的套刻误差，且不仅能表征晶圆在光刻工艺过程中表面产生的套刻误差，同时能从立体角度表征整体的套刻误差。

今年以来广立微新获得专利授权9个，较去年同期增加了28.57%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了9313.46万元，同比增98.72%。

数据来源：企查查

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