扬杰科技获得发明专利授权：“一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构”，专利申请号为CN201810419400.4，授权日为2024年3月8日。

专利摘要：一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。提供了一种结构简单，方便加工，提高产品质量的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。包括矩形基板，所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区，基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组，基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组，基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组，所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体；所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方，第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方。本发明的VDMOS功率器件防分层翘曲结构设计独特、结构简单、制作方便。

今年以来扬杰科技新获得专利授权20个，较去年同期增加了185.71%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.65亿元，同比增3.17%。

数据来源：企查查

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