扬杰科技获得发明专利授权：“一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构”，专利申请号为CN201810419957.8，授权日为2024年1月26日。

专利摘要：一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。涉及电子封装技术领域，尤其涉及VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。提供了一种结构简单，有效减小芯片温升及其对器件封装结构和器件性能的影响，提高器件质量可靠性的VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构。包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；所述芯片焊接区的中心和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中心凸点，所述金属中心凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。所述金属凸点环包括至少两个，其从内到外依次分别为第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环；n≥3，n为整数。本发明设计独特、结构简单、制作方便。

今年以来扬杰科技新获得专利授权9个，较去年同期增加了200%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了1.65亿元，同比增3.17%。

数据来源：企查查

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