思特威获得实用新型专利授权：“一种图像传感器及其半导体结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示思特威（688213）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种图像传感器及其半导体结构”，专利申请号为CN202321690007.1，授权日为2023年12月22日。

专利摘要：本申请描述了一种半导体结构，包括：半导体衬底，半导体衬底内具有光电转换区以及位于光电转化区上的栅极；有源区，位于半导体衬底中且分布于栅极两侧；接触扩散区，位于半导体衬底中，接触扩散区至少包括第一接触扩散区，且第一接触扩散区位于有源区背离栅极的一侧且与有源区仅部分交叠；介质层，位于半导体衬底以及栅极上方，介质层内开设有至少部分暴露接触扩散区的通孔；金属插塞层，位于通孔内。本申请通过将第一接触扩散区设置于有源区背离栅极的一侧，使得第一接触扩散区与有源区仅部分交叠，沟道受离子扩散影响小，并减小了源漏极的寄生电容，提高了晶体管的工作效率。

今年以来思特威新获得专利授权53个，较去年同期减少了50.47%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.41亿元，同比增12.42%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。