半导体行业点评报告：行业市场备货需求浮现，中国台厂多月营收同比高增

（以下内容从开源证券《半导体行业点评报告：行业市场备货需求浮现，中国台厂多月营收同比高增》研报附件原文摘录）
本周复盘：现货行情略有分化，行业市场备货需求浮现
指数方面：2024年第10周存储市场延续此前上涨趋势，DRAM/NAND指数单周分别提升1.0%/2.0%，景气度持续修复。价格方面：NAND Flash Wafer价格持平不变，DDR4资源价格小幅下调；渠道市场方面，NVMe SSD价格小幅上涨，SATA SSD价格全面持平，低容量产品行情陷入瓶颈期，渠道内存资源溢出库存较重，本周价格持平不变；行业市场方面，部分行业备货需求浮现，good die资源成本滚动上升，高性能需求推升2TB PCIe4.0SSD价格（周环比+6.0%），行业SSD价格普遍上扬（周环比+2.3%）；嵌入式Flash方面，由于资源供应有限成本上涨，本周嵌入式LPDDR价格全面上涨（周环比+2.9%），高容量eMMC价格小幅上调（周环比+0.8%），部分集成式产品价格跟涨。
供需情况：终端出货量及搭载容量有望增长，原厂聚焦HBM及DDR5
需求方面，闪存市场预测，2024年手机/服务器/PC三大下游市场出货量预计分别增长4%/2%/8%，同比由负转正。搭载容量方面，随着AI在各类领域的应用延伸，手机、服务器、PC中内存平均单机搭载容量均有成长，其中，服务器领域增长幅度最高，Server DRAM和Enterprise SSD单机平均容量预估分别年增17.3%/13.2%。供给方面，随着需求的增长，三大原厂全面调升上半年稼动率。集微网报道，原厂的稼动率及资本支出的上修，主要反映库存去化完成，而自2023Q4起，手机及PC需求转佳，加上AI崛起带动搭载AI的终端产品陆续上市，下游需求稳步上升。预计未来三大原厂资本支出和产出将聚焦于利润较佳的高端产品如HBM和DDR5。
价格预测：价格全年看涨，中国台厂营收连续多月同比高增
展望2024全年，集邦咨询认为DRAM和NAND价格有望连续四季看涨，预测2024Q1-Q4DRAM季涨幅中值分别为15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季涨幅中值分别为20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。大厂表现方面，在价格全面上涨的影响下，韩国2月存储芯片出口额同环比大幅双增（同比+108%/环比+14%），大部分中国存储台厂营收连续多月同比上涨，势头良好。随着板块持续复苏，以及HBM和DDR5等高端产品的需求增长，存储芯片板块上下游公司有望充分受益，受益标的：
（1）存储芯片：兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等；
（2）存储模组：江波龙、德明利、协创数据、佰维存储等；
（3）存储接口：澜起科技、聚辰股份等；
（4）存储封测及HBM产业链：长电科技、通富微电、华天科技、香农芯创等
风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。